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IGBT discreto

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Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

Name: Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003
Brand: Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003
SKU: SPS15P12W1M4
Rating: 4.7 (113 reviews)

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Numero di modello: SPS15P12W1M4

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Corrente di collettore:	100A	Tensione dell'emettitore del collettore:	1200 V
Corrente:	100A	Carica dell'emittente della porta:	120nC
Resistenza dell'emettitore della porta:	1.5Ω	Tensione dell'emettitore del portone:	± 20V
Peso del modulo:	200 g	Temperatura di funzionamento:	-40°C a +150°C
Tipo di pacchetto:	EasyPIM	Tempo di recupero inverso:	50ns
Il cortocircuito resiste al tempo:	10 μs	frequenza di commutazione:	20KHZ
Resistenza termica:	0.1°C/W	Voltaggio:	1200 V
Nome del prodotto:	Modulo IGBT, modulo transistor IGBT, modulo Igbt singolo

Corrente di collettore:	100A
Tensione dell'emettitore del collettore:	1200 V
Corrente:	100A
Carica dell'emittente della porta:	120nC
Resistenza dell'emettitore della porta:	1.5Ω
Tensione dell'emettitore del portone:	± 20V
Peso del modulo:	200 g
Temperatura di funzionamento:	-40°C a +150°C
Tipo di pacchetto:	EasyPIM
Tempo di recupero inverso:	50ns
Il cortocircuito resiste al tempo:	10 μs
frequenza di commutazione:	20KHZ
Resistenza termica:	0.1°C/W
Voltaggio:	1200 V
Nome del prodotto:	Modulo IGBT, modulo transistor IGBT, modulo Igbt singolo

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

L'impianto deve essere dotato di un sistema di accensione di potenza solida.

1200 V 15A IGBT PIM Modulo

1200 V 15A IGBT PIM

Caratteristiche:

D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

□ cortocircuito

Tipico Applicazioni:

□ Servomobili

□ Trasformatori

□ Invertitori

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		2.5			kV
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		11.5			mm
	- Creep.	terminale a terminale		6.3
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		10.0			mm
	dClear	terminale a terminale		5.0
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 200

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Modulo di induttanza errante	LsCE				30		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		8.00		mΩ
	RAA+CC				6.00
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Forza di montaggio per pinza	F			20		50	N
Peso	G				23		g

IGBT,/ IGBT, inverter

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1200	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 25°C	20	A
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 80°C	15	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			30	A
Dissipazione di potenza	Ptot			130	W

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C=15A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.95	2.40	V.
			T_vj= 125°C		2.46
			T_vj= 150°C		2.54
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C= 0,48 mA		5.1	5.7	6.3	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 100		100	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 600V, I_C= 15A, V_GE=±15V			0.1		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.9		nF
Capacità di trasferimento inverso	Cres	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.04		nF
Resistenza interna alla porta	RGint	T_vj= 25°C			0		Ω
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 600V,I_C=15A R_G= 40Ω V_GE=±15V	T_vj= 25°C		46		ns
			T_vj= 125°C		42		ns
			T_vj= 150°C		44		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		38		ns
			T_vj= 125°C		41		ns
			T_vj= 150°C		39		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 600V,I_C=15A R_G= 40Ω V_GE=±15V	T_vj= 25°C		215		ns
			T_vj= 125°C		249		ns
			T_vj= 150°C		259		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		196		ns
			T_vj= 125°C		221		ns
			T_vj= 150°C		203		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 600V,I_C=15A R_G= 40Ω V_GE=±15V	T_vj= 25°C		1.57		mJ
			T_vj= 125°C		2.12		mJ
			T_vj= 150°C		2.25		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		0.89		mJ
			T_vj= 125°C		1.07		mJ
			T_vj= 150°C		1.16		mJ
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C		70		A
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					1.15	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Diodo, inverter

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F			15	A
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			30	A
Io...²Valore t	Io...²t	tp=10 ms	T_vj= 125°C	136	A²s

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 15A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.60	2.10	V.
			T_vj= 125°C		1.75
			T_vj= 150°C		1.78
Corrente di recupero inversa massima	IRRM	Io..._F=15A DI_F/dt=-250A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		13		A
			T_vj= 125°C		15
			T_vj= 150°C		17
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		1.87		μC
			T_vj= 125°C		3.33
			T_vj= 150°C		3.82
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		0.70		mJ
			T_vj= 125°C		1.28
			T_vj= 150°C		1.45
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					1.90	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Diodo, rettificatore

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1600	V.
Corrente massima RMS in avanti per chip	IFRMSM		T_C= 80°C	16	A
Corrente massima RMS alla uscita del raddrizzatore	IRMSM		T_C= 80°C	16
Corrente di spinta in avanti	IFSM	t_p= 10 ms	T_vj= 25°C	190
I2t - valore	Io...²t	t_p= 10 ms	T_vj= 25°C	181	A²s

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F=15A	T_vj= 25°C		0.95		V.
Corrente inversa	Io..._R	V._R=1600V	T_vj= 25°C			5	μA
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					1.50	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

IGBT, freno-esca/IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1200	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 80°C	15	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			30	A
Dissipazione di potenza	Ptot			130	W

IGBT, freno-esca/IGBT

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C=15A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		2.08	2.50	V.
			T_vj= 125°C		2.37
			T_vj= 150°C		2.45
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C= 0,48 mA		5.1	5.7	6.3	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 100		100	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 600V, I_C= 15A, V_GE=±15V			0.1		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.86		nF
Capacità di trasferimento inverso	Cres	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =1MHz			0.02		nF
Resistenza interna alla porta	RGint	T_vj= 25°C			0		Ω
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 600V,I_C=15A R_G= 40Ω V_GE=±15V	T_vj= 25°C		51		ns
			T_vj= 125°C		47		ns
			T_vj= 150°C		40		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		44		ns
			T_vj= 125°C		48		ns
			T_vj= 150°C		56		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 600V,I_C=15A R_G= 40Ω V_GE=±15V	T_vj= 25°C		216		ns
			T_vj= 125°C		254		ns
			T_vj= 150°C		262		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		194		ns
			T_vj= 125°C		213		ns
			T_vj= 150°C		219		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 600V,I_C=15A R_G= 40Ω V_GE=±15V	T_vj= 25°C		0.92		mJ
			T_vj= 125°C		1.21		mJ
			T_vj= 150°C		1.31		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		0.88		mJ
			T_vj= 125°C		1.11		mJ
			T_vj= 150°C		1.15		mJ
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					1.15	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Diodo, elicottero freno.

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F			8	A
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			16	A
Io...²Valore t	Io...²t	tp=10 ms	T_vj= 125°C	25	A²s

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 8A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.88	2.40	V.
			T_vj= 125°C		1.96
			T_vj= 150°C		1.90
Corrente di recupero inversa massima	IRRM	Io..._F=8A DI_F/dt=-200A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		6		A
			T_vj= 125°C		7
			T_vj= 150°C		8
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		0.68		μC
			T_vj= 125°C		1.22
			T_vj= 150°C		1.32
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		0.27		mJ
			T_vj= 125°C		0.49
			T_vj= 150°C		0.53
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					1.90	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Termistore NTC

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Resistenza nominale	R25		T_C= 25°C	5.00	kΩ
Valore B	R25/50			3375	K.

IGBT IGBT

Prodotto caratteristica IGBT, inverter (tipico) caratteristica IGBT, Inverter (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 5

IGBT IGBT

Trasferimento caratteristica IGBT, Inverter (tipico) perdite IGBT, inverter (tipico)

Io..._C= f (V_GE) E = f (R_G)

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 15A, V_CE= 600V

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 6

IGBT IGBT,(RBSOA)

Sostituzione perdite IGBT, inverter(Tipico) Al contrario pregiudizio sicurezza funzionamento Area IGBT, Inverter (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 40Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_Goff.= 40Ω, T_vj= 150°C

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 7

IGBT

Transiente termico impedenza IGBT, inverter in avanti caratteristica di Diodo, inverter (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 8

Sostituzione perdite Diodo, inverter (tipico) perdite Diodo, inverter (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 15A, V_CE= 600V R_G= 40Ω, V_CE= 600V

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 9

Transiente termico impedenza Diodo, inverter in avanti caratteristica di Diodo, rettificatore (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 10

IGBT

Prodotto Caratteristica, Brake-Chopper (tipico) In avanti caratteristica di Diodo, elicottero freno. (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_F= f (V_F)

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 11

NTC-Termistore-temperatura caratteristica (tipico)

R = f (T)

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 12

"IGBT 15A 1200V" si riferisce a un transistor bipolare isolato con una corrente nominale di 15 ampere e una tensione nominale di 1200 volt.Questo tipo di IGBT è adatto per applicazioni con esigenze di potenza moderate, quali elettrodomestici, piccoli motori motori e inverter a bassa potenza.e specifiche specifiche tecniche e linee guida d'uso possono essere trovate nella scheda dati del fabbricante sulla base dei requisiti specifici dell'applicazione.

Circuito Diagramma Titolo

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 13

Pacco linee guida

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 14

Dimensioni in mm

Tags:

Moduli IGBT 34 mm

Moduli IGBT 62 mm

Moduli IGBT EconoDual3

Moduli IGBT EasyPIM

Moduli IGBT

Moduli IGBT EconoPIM

Moduli per autoveicoli

Discretati di SiC ibridi

Mosfet discreto

IGBT discreto

Moduli IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003