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750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM

Name: 750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM
Brand: 750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM
SKU: SPS820F08HDM4
Rating: 4.7 (167 reviews)

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Numero di modello: SPS820F08HDM4

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Certificazioni:	CE, FCC, RoHS	Colore:	Nero
Compatibilità:	Compatibile con la maggior parte dei veicoli moderni	Connettività:	con cavo
Dimensioni:	Varia a seconda del modulo specifico	Funzione:	Controllo e monitoraggio dei vari sistemi di un veicolo
Materiale:	Plastica e metallo	Temperatura di funzionamento:	-40°C a 85°C
Tensione di funzionamento:	12V	Tipo:	Sistemi elettronici
Garanzia:	1 anno	Peso:	Varia a seconda del modulo specifico

Certificazioni:	CE, FCC, RoHS
Colore:	Nero
Compatibilità:	Compatibile con la maggior parte dei veicoli moderni
Connettività:	con cavo
Dimensioni:	Varia a seconda del modulo specifico
Funzione:	Controllo e monitoraggio dei vari sistemi di un veicolo
Materiale:	Plastica e metallo
Temperatura di funzionamento:	-40°C a 85°C
Tensione di funzionamento:	12V
Tipo:	Sistemi elettronici
Garanzia:	1 anno
Peso:	Varia a seconda del modulo specifico

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM

L'indice di potenza solida-DS-SPS820F08HDM4-S04090002

750 V 820A IGBT Pieno Ponte Modulo

750 V 820A IGBT

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM 0

Caratteristiche:

D Tecnologia Trench+ Field Stop 750V

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

□ cortocircuito

Tipico Applicazioni:

□ Azionamenti motori

□ Veicoli elettrici ibridi

□ Applicazioni automobilistiche

D Veicoli agricoli commerciali

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 0 Hz, t = 1 s		4.2			kV
Materiale della piastra base del modulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		9.0			mm
	- Creep.	terminale a terminale		9.0
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		4.5			mm
	dClear	terminale a terminale		4.5
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 200

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Modulo di induttanza errante	LsCE				10		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.75		mΩ
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo	M4	piastra di base per il lavandino termico		1.8		2.2	Nm
	M3	PCB per telaio		0.45		0.55	Nm
Peso	G				725		g

IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	750	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente del collettore applicata	ICN			820	A
Corrente continua del collettore CC	Io..._C	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			1640	A
Dissipazione di potenza	Ptot		T_F= 75°C	769	W

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C= 450A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.20	1.40	V.
			T_vj= 125°C		1.24
			T_vj= 150°C		1.27
		Io..._C=820A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.40	1.60
			T_vj= 125°C		1.55
			T_vj= 150°C		1.60
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C= 9,6 mA		5.1	5.8	6.5	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=750V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=750V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollari.		200	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 400 V, I_C= 450A, V_GE=-8/+15V			1.6		μC
Resistenza interna alla porta	RGint				0.8		Ω
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			42.4		nF
Capacità di uscita	Coes				3.1
Capacità di trasferimento inverso	Cres				0.8
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 400V,I_C=450A R_Gon= 2,5Ω, V._GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		90		ns
			T_vj= 125°C		92		ns
			T_vj= 150°C		96		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		64		ns
			T_vj= 125°C		68		ns
			T_vj= 150°C		70		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 400V,I_C=450A R_Goff.= 5,1Ω, V._GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		520		ns
			T_vj= 125°C		580		ns
			T_vj= 150°C		590		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		200		ns
			T_vj= 125°C		310		ns
			T_vj= 150°C		320		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 400V,I_C=450A R_G= 2,5Ω,R_Goff.= 5,1Ω V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		15.0		mJ
			T_vj= 125°C		18.0		mJ
			T_vj= 150°C		20.0		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		33.5		mJ
			T_vj= 125°C		41.0		mJ
			T_vj= 150°C		43.0		mJ

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 400V	tp≤3 μs T_vj= 150°C			5400	A
Resistenza termica IGBT, fluido di raffreddamento a giunzione	RthJF					0.13	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		175	°C

Diodo

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	750	V.
Corrente in avanti applicata	ICN			820	A
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			1640	A

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 450A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.20	1.60	V.
			T_vj= 125°C		1.16
			T_vj= 150°C		1.14
		Io..._F= 820A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.42	1.80
			T_vj= 125°C		1.43
			T_vj= 150°C		1.44
Tempo di recupero inverso	trr	Io..._F=450A DI_F/dt=-6700A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 400V, V._GE=-8V	T_vj= 25°C		122		ns
			T_vj= 125°C		160
			T_vj= 150°C		172
Corrente di recupero inversa massima	IRRM		T_vj= 25°C		295		A
			T_vj= 125°C		360
			T_vj= 150°C		375
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		28.5		μC
			T_vj= 125°C		40.5
			T_vj= 150°C		43.5
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		6.2		mJ
			T_vj= 125°C		11.7
			T_vj= 150°C		13.2
Resistenza termica del diodo, fluido di raffreddamento a giunzione	RthJFD					0.25	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		175	°C

Termistore NTC

Caratteristica Valori

Articolo

Il simbolo

Condizioni

Valori

Unità

Resistenza nominale

R25

T_C= 25°C

5.00

kΩ

Valore B

R25/50

3375

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) T_vj= 150°C

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IGBT

Trasferimento caratteristica (tipico) Perdite di commutazione IGBT (tipico)

Io..._C= f (V_GE) V_CE= 20V E = f (R_G)

V._GE= -8/+15V, I_C= 450A, V_CE= 400V

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IGBT(RBSOA)

Perdite di commutazione IGBT (tipica) Inverso pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= -8/+15V, R_Gon= 2,5Ω,R_Goff.= 5.1Ω, V_CE= 400 V V_GE= -8/+15V, R_Goff= 5.1Ω, T_vj= 150°C

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Tipico capacità come un Funzione di collettore-emittente tensione Carica di ingresso (tipica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 450A, V_CE= 400V

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM 8

IGBT

IGBT transitorio termico Impedenza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

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Perdite di commutazione Diodo (tipico) Perdite di commutazione Diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 450A, V_CE= 400V R_G= 2,5Ω, V_CE= 400V

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM 10

Diodo termico transitorio Impedenza NTC-Termistore-temperatura caratteristica (tipico)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM 11

Un modulo IGBT in un inverter è un assemblaggio compatto contenente transistor bipolari a cancello isolato (IGBT) e altri componenti.Gli IGBT svolgono un ruolo cruciale nel commutare e convertire la corrente continua (DC) in corrente alternata (AC) in dispositivi come i motoriIl modulo semplifica l'integrazione e un adeguato raffreddamento è essenziale per l'efficienza e l'affidabilità.

Circuito Diagramma Titolo

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM 12

Pacco linee guida

750V 820A Moduli di alimentazione automobilistica Modulo IGBT Full Bridge elettronico OEM 14

Dimensioni in mm

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