"Solid Power-DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1".0

1500V 3A MOS discreto a canale N

1500 V 3A MOSFET 

Caratteristiche:

• Cambiare velocemente
• Basso livello di resistenza
• Carica bassa del gate Minimizzare le perdite di commutazione
• Diodo di recupero rapido del corpo

Tipico Applicazioni:

• Adattatore
• Caricabatterie
• Potenza in standby SMPS

Sorgente di drenaggio normalizzata sulla resistenza

RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

IDS=1,3A VGS=10V VGS=10V

MOSFET

Caratteristica di carica del MOSFET di porta di diodo

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

MOSFET

Caratteristica di capacità MOSFET Dissipazione massima di potenza

C=f (VDS) PD=f (TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

Area di funzionamento sicura con corrente di scarico massima orientata in avanti (FBSOA)

ID=f ((TC)

MOSFET

MOSFET di impedenza termica transitoria

ZthJC=f (t)

Si tratta di un discreto transistor a effetto di campo a canale N di ossido metallico-semiconduttore (MOSFET) con una tensione nominale di 1500V e una corrente nominale di 3A.I MOSFET a canale N sono dispositivi semiconduttori comunemente utilizzati in varie applicazioni elettronicheIl 1500V indica la tensione massima che il dispositivo può gestire, mentre il 3A rappresenta la corrente massima che può ospitare.In applicazioni specifiche, un corretto circuito di azionamento e dissipazione del calore devono essere considerati per garantire l'affidabilità e le prestazioni del MOSFET.