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1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Name: 1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
Brand: 1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
SKU: SPS200F12K3
Rating: 5 (189 reviews)

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Numero di modello: SPS200F12K3

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Corrente di collettore:	50A	tensione dell'Collettore-emettitore:	600 V
Classificazione attuale:	50A	Tassa del portone:	50nC
tensione dell'Portone-emettitore:	± 20V	Tensione di isolamento:	2500V
Temperatura massima di funzionamento:	150°C	Tipo di pacchetto:	EconoPACK
Tempo di recupero inverso:	100ns	Conformità Rohs:	- Sì.
Il cortocircuito resiste al tempo:	10 μs	frequenza di commutazione:	20KHZ
Resistenza termica:	10,5°C/W	Valore nominale della tensione:	600 V

Corrente di collettore:	50A
tensione dell'Collettore-emettitore:	600 V
Classificazione attuale:	50A
Tassa del portone:	50nC
tensione dell'Portone-emettitore:	± 20V
Tensione di isolamento:	2500V
Temperatura massima di funzionamento:	150°C
Tipo di pacchetto:	EconoPACK
Tempo di recupero inverso:	100ns
Conformità Rohs:	- Sì.
Il cortocircuito resiste al tempo:	10 μs
frequenza di commutazione:	20KHZ
Resistenza termica:	10,5°C/W
Valore nominale della tensione:	600 V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200 V 200A IGBT Pieno Ponte Modulo

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 0

Caratteristiche:

D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

□ cortocircuito

TipicoApplicazioni:

□ Guida motorizzata

□ Servomobili

□ Invertitori ausiliari

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		2.5			kV
Materiale della piastra base del modulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		10.0			mm
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		7.5			mm
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 200

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Modulo di induttanza errante	LsCE				21		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		1.80		mΩ
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo	M5			3		6	Nm
Peso	G				300		g

IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1200	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 60°C	200	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			400	A
Dissipazione di potenza	Ptot			750	W

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C= 200A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.60	2.10	V.
			T_vj= 125°C		1.80
			T_vj= 150°C		1.85
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C= 8mA		5.2	6.0	6.7	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollari.		200	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 600V, I_C= 200A, V_GE=±15V			1.6		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			24.7		nF
Capacità di uscita	Coes				0.9
Capacità di trasferimento inverso	Cres				0.2
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 600V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V._GE=15V	T_vj= 25°C		388		ns
			T_vj= 125°C		428		ns
			T_vj= 150°C		436		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		44		ns
			T_vj= 125°C		52		ns
			T_vj= 150°C		56		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 600V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V._GE=15V	T_vj= 25°C		484		ns
			T_vj= 125°C		572		ns
			T_vj= 150°C		588		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		132		ns
			T_vj= 125°C		180		ns
			T_vj= 150°C		196		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 600V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V._GE=15V	T_vj= 25°C		6.5		mJ
			T_vj= 125°C		9.6		mJ
			T_vj= 150°C		11.2		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		11.8		mJ
			T_vj= 125°C		16.4		mJ
			T_vj= 150°C		17.3		mJ
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			750	A
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					0.20	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Diodo

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F			200	A
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			400	A

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 200A, V_GE=0V	T_vj= 25°C	1.5	1.80	2.40	V.
			T_vj= 125°C		1.80
			T_vj= 150°C		1.80
Tempo di recupero inverso	trr	Io..._F=200A DI_F/dt=-6000A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		864		ns
			T_vj= 125°C		1170
			T_vj= 150°C		1280
Corrente di recupero inversa massima	IRRM		T_vj= 25°C		270		A
			T_vj= 125°C		290
			T_vj= 150°C		300
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		22.6		μC
			T_vj= 125°C		34.8
			T_vj= 150°C		40.0
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		4.0		mJ
			T_vj= 125°C		13.7
			T_vj= 150°C		16.1
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					0.30	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Termistore NTC

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Resistenza nominale	R25		T_C= 25°C	5.00	kΩ
Valore B	R25/50			3375	K.

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 5

IGBT

Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)

Io..._C= f (V_GE) V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 600V

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 6

IGBT RBSOA

Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_Goff= 3,3Ω, T_vj= 150°C

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 7

Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente Porta di tensione carico(tipico)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 8

IGBT

IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 9

Sostituzione perdite Diodo (tipico) Scambio perdite Diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 200A, V_CE= 600V R_G= 3,3Ω, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 10

Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di larghezza dell'impulso NTC-Termistore-temperatura caratteristica (tipico)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 11

Si tratta di un modulo full bridge IGBT 1200V, 200A. Le configurazioni full bridge sono comunemente utilizzate in applicazioni elettroniche di potenza come azionamenti di motori, inverter e alimentatori.La tensione nominale indica la tensione massima che il modulo può gestire, mentre la corrente nominale rappresenta la corrente massima che può gestire.per garantire un funzionamento affidabile e sicuro..

Circuito Diagramma Titolo

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 12

Pacco linee guida

1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 13

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