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1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato

Name: 1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato
Brand: 1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato
SKU: SPS12MA12E4S
Rating: 4.7 (111 reviews)

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Numero di modello: SPS12MA12E4S

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Classificazione attuale:	40A	Tassa del portone:	120nC
Tensione della soglia del portone:	4V	Tensione di isolamento:	2500V
senza piombo:	- Sì.	Stile di montaggio:	Attraverso il buco
Resistenza dello Su stato:	0.015Ω	Tipo di pacchetto:	TO-247
Tempo di recupero inverso:	25ns	Conformità Rohs:	- Sì, sì.
Il cortocircuito resiste al tempo:	10 μs	frequenza di commutazione:	100 kHz
Intervallo di temperatura:	-40°C a 175°C	Valore nominale della tensione:	1200 V

Classificazione attuale:	40A
Tassa del portone:	120nC
Tensione della soglia del portone:	4V
Tensione di isolamento:	2500V
senza piombo:	- Sì.
Stile di montaggio:	Attraverso il buco
Resistenza dello Su stato:	0.015Ω
Tipo di pacchetto:	TO-247
Tempo di recupero inverso:	25ns
Conformità Rohs:	- Sì, sì.
Il cortocircuito resiste al tempo:	10 μs
frequenza di commutazione:	100 kHz
Intervallo di temperatura:	-40°C a 175°C
Valore nominale della tensione:	1200 V

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato

L'indice di potenza solida-DS-SPS12MA12E4S

1200 V 12 mΩ SiC MOSFET

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato 0

Caratteristiche:

□ Alta tensione di blocco con bassa resistenza di accensione

□ Commutazione ad alta velocità con piccole capacità

□ Diodo intrinseco veloce con basso recupero inverso (Qrr)

Tipico Applicazioni:

□ Invertitori fotovoltaici

□ Pile di ricarica

□ sistemi di accumulo di energia

D Fornitori di energia industriale

□ Motori industriali

Massimo Classificazione @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Articolo	Il simbolo	Condizioni	Valori	Unità
Voltaggio della fonte di scarico	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V.
Voltaggio della sorgente di porta	VGSop	Staticità	-5/+20	V.
Tensione massima della sorgente di porta	VGSmax	Staticità	-8/+22	V.
Corrente di scarico continua	Identificazione	VGS=20V, Tc=25°C	214	A
Corrente di scarico continua	Identificazione	VGS=20V, Tc=100°C	151	A
Corrente di scarico pulsata	ID (pulso)	Larghezza dell'impulso tp limitata da Tjmax	400	A
Dissipazione del potere	PD	TC=25°C, Tj=175°C	938	W
Intervallo di intersezione operativa	Tj		-55 a +175	°C
Intervallo di temperatura di stoccaggio	Tstg		-55 a +175	°C

Altri dispositivi Caratteristiche @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Articolo	Il simbolo	Condizioni	Valori Min. Tipo. - Max. - Cosa?			Unità
Voltaggio di rottura della fonte di scarico	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V.
Voltaggio di soglia della porta	VGS (th)	VDS=VGS, ID=40mA	2.0	2.7	3.5	V.
Voltaggio di soglia della porta	VGS (th)	VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V.
Corrente di scarico di tensione di porta zero	IDSS	VDS=1200V, VGS=0V	-	2	100	μA
Corrente di fuga di sorgente di porta	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
Resistenza all'uscita della fonte sullo stato	RDS (acceso)	VGS=20V, ID=100A	-	12	20	mΩ
		VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C	-	20	-
		VGS=18V, ID=100A	-	13	25
		VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C	-	21	-
Transconduttanza	gfs	VDS=20V, IDS=100A	-	60	-	S
Transconduttanza	gfs	VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C	-	52	-	S
Energia di commutazione di accensione (FWD del diodo corporeo)	Eon	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S	-	5.2	-	mJ
Energia di commutazione di spegnimento (FWD del diodo corporeo)	Eof		-	3.7	-	mJ
Tempo di ritardo di attivazione	Td (connesso)	VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH	-	24	-	ns
E'ora di alzarsi.	tr		-	149	-
Tempo di ritardo di spegnimento	sd (spento)		-	145	-
Tempo di caduta	Tf		-	49	-
Carica da porta a sorgente	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A	-	215	-	nC
Cargo da porta a scarico	Qgd		-	179	-
Importo totale della tariffa della porta	Qg		-	577	-
Capacità di ingresso	Ciss	VGS = 0V, VDS = 1000V f=1MHz VAC=25mV	-	8330	-	pF
Capacità di uscita	Coss		-	343	-
Capacità di trasferimento inverso	Crss		-	57	-
COSS Energia immagazzinata	Eoss		-	217	-	μJ
Resistenza interna del cancello	RG(int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	0.8	-	Ω

Ritorno Diodo Caratteristiche @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Articolo Il simbolo		Condizioni	Valori Unità Min. Tipo. - Max. - Cosa?
Voltaggio del diodo in avanti	VSD	VGS=-5V, ISD=50A	-	4.7	7	V.
Voltaggio del diodo in avanti	VSD	VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C	-	3.8	-	V.
Corrente continua di diodo in avanti	S.I.	VGS=-5V	-	214	-	A
Tempo di recupero inverso	trr	VGS=-5V,	-	46	-	ns
Tassa di recupero inverso	Qrr	ISD=100A,	-	1	-	nC
Corrente di recupero inversa di picco	Irrm	VR=800V, di/dt=1597A/μs	-	37	-	A

Ritorno Diodo Caratteristiche @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Articolo Il simbolo		Condizioni	Valori Unità
Resistenza termica dall'incrocio alla cassa	RθJC		-	0.16	-	°C/W
Resistenza termica dalla giunzione all'ambiente	RθJA		-	32	-	°C/W

Prestazioni tipiche

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato 4

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato 5

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato 6

Prestazioni tipiche

Prestazioni tipiche

Si tratta di un MOSFET a carburo di silicio (SiC) 1200V con una resistenza in stato di funzionamento di 12 milliohm (12mΩ).rendendoli adatti a applicazioni elettroniche ad alta efficienza di potenza come convertitori ad alta frequenza e veicoli elettrici.

Pacco Disegno: TO-247-4L

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato 18

1200V 12mΩ Sic Potenza Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Personalizzato 19

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