Solid Power-DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0.

1200 V 75mΩ SiC MOSFET

Caratteristiche:

□ Alta tensione di blocco con bassa resistenza di accensione

□ Commutazione ad alta velocità con piccole capacità

□ Diodo intrinseco veloce con basso recupero inverso (Qrr)

Tipico Applicazioni:

□ Invertitori fotovoltaici

□ Pile di ricarica

□ sistemi di accumulo di energia

D Fornitori di energia industriale

□ Motori industriali

Massimo Classificazione @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Altri dispositivi Caratteristiche @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Ritorno Diodo Caratteristiche @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Ritorno Diodo Caratteristiche @Tc=25°C (a meno che altrimenti specificato)

Tipico Prestazioni

Tipico Prestazioni

Tipico Prestazioni

Tipico Prestazioni

Tipico Prestazioni

Si tratta di un transistor a effetto di campo a metallo-ossido-semiconduttore a carburo di silicio (SiC) (MOSFET) con una tensione nominale di 1200V e una resistenza in stato (RDS(on)) di 75 milliohm (75mΩ).I MOSFET SiC sono noti per la loro capacità di alta tensione e bassa resistenza in stato di funzionamento, rendendoli idonei per applicazioni elettroniche di potenza efficiente come convertitori ad alta frequenza e veicoli elettrici.La resistenza in stato di funzionamento di 75mΩ indica perdite di potenza relativamente basse durante la conduzione, contribuendo a migliorare l'efficienza nelle applicazioni ad alta potenza.