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Basse perdite di commutazione Infineon IGBT discreto
, Modulo di transistor IGBT OEM
, Modulo di transistor IGBT a basse perdite di commutazione
Capacità del collettore emittente: |
170 pF |
Configurazione: |
Non sposato |
Collettore di corrente continuo: |
50 A |
Collettore di corrente pulsato: |
200 A |
Tassa del portone: |
80 n.C. |
Stile di montaggio: |
Attraverso il buco |
Intervallo di temperatura di funzionamento: |
-55 a 150 gradi. |
Tipo di pacchetto: |
TO-247 |
Pacchetto/caso: |
TO-247-3 |
Tempo di recupero inverso: |
50 ns |
Polarità del transistor: |
Canale N |
Disfunzione dell'emettitore del collettore di tensione: |
1200 V |
Massima saturazione dell'emettitore del collettore di tensione: |
2,2 V |
Valore limite massimo dell'emettitore della porta di tensione: |
5 V |
Nome del prodotto: |
Modulo di transistor igbt, modulo di transistor sic igbt, transistor igbt |
Basse perdite di commutazione Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM
L'indice di potenza solida DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0
1200 V 40A IGBT Discreto
1200V 40A IGBT
Generale Descrizione
SOLIDPOWER IGBT Discrete offre basse perdite di commutazione e elevata capacità RBSOA. Sono progettati per applicazioni come UPS industriali, caricabatterie, stoccaggio di energia,Invertitore ad azione solare a tre livelli, saldatura ecc.
Caratteristiche:
▪ Tecnologia di arresto di campo di trincea 1200V
▪ Diodi a rotaia libera a base di SiC SBD
▪ Basse perdite di cambio
▪ Basso costo di accesso
Tipico Applicazioni:
▪ UPS industriali
▪ Caricabatterie
▪ Immagazzinamento di energia
▪ Invertitore
▪ Saldatura
IGBT IGBT
Caratteristica di uscita IGBT Caratteristica di uscita IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Caratteristica di uscita FRD Voltaggio di saturazione collettore-emittente IGBT
IF=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)
FRD IGBT
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore FRD Voltaggio di soglia del cancello-emettitore IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
Caratteristica di uscita FRD Collettore di corrente IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Caratteristiche della carica del cancello Caratteristica della capacità
VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Tempo di commutazione IGBT Tempo di commutazione IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
Tempo di commutazione IGBT Tempo di commutazione IGBT
ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
Tempo di commutazione IGBT Perdite di commutazione IGBT
ts=f (Tj) E=f (Tj)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
Impedanza termica transitorio IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Si tratta di un transistor bipolare isolato discreto (IGBT) con una tensione nominale di 1200V e una corrente nominale di 40A.Gli IGBT sono comunemente utilizzati in applicazioni elettroniche di potenza per la commutazione di alte tensioni e correntiLe specifiche indicano che questo particolare IGBT può gestire una tensione massima di 1200V e una corrente massima di 40A.I circuiti di azionamento e la dissipazione del calore appropriati sono importanti per garantire l'affidabilità e le prestazioni dell'IGBT.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida
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