Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
prodotti
prodotti
Casa. > prodotti > Moduli IGBT EconoPIM > 1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Dettagli del prodotto

Marca: SPS

Numero di modello: SPS75P12M3M4

Termini di pagamento e di spedizione

Ottieni il miglior prezzo
Evidenziare:

Modulo PIM IGBT 1200V

,

Modulo PIM IGBT Solid Power

,

Modulo PIM IGBT 75A

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Modulo PIM IGBT da 1200V a 75A

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 0

Caratteristiche:
 Tecnologia Trench+ Field Stop 1200V
 Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
 VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
 Basse perdite di cambio
 robustezza del cortocircuito
 
Applicazioni tipiche:
 Azionamenti motori
 Servo drive
 

 

IGBT, Invertitore / IGBTInvertitore

 

Massimo Valori nominali/ massimo limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Collettore-emittentetensione

 

V.CES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C

 

TC= 100°C

 

75

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

150

 

A

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

V.GES

 

 

± 20

 

V.

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

Pdi

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

380

 

W

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo Max.

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati collettore-emettitorea tensione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C= 75A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.72

2.04 2.12

 

2.10

 

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

 

V.GE ((th)

 

Io...C= 2,4 mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C

 

 

5.2 5.6 6.2

 

V.

 

内部 极电阻

Porta interna resistenza

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

6.2

 

Ω

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

CI.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

5.24

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.24

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente limite cdi locazione

 

 

Io...CES

 

V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

 

1.00

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

Io...GES

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

td( su)

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

95

 

96

 

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

 

tr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

31

34

 

37

 

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

td(Smettila.)

 

Io...C= 75A, VCE=600 V

V.GE=-15V... +15V

RGon= 1Ω

RGoff.= 1Ω

 

Induttivo Loannuncio

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

256

309

 

323

 

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

 

tf

 

186

178

 

167

 

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

Esu

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

4.34

7.86

8.90

 

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

ESmettila.

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

5.58

6.87

7.06

 

mJ

 

短路数据

SC dati

 

 

Io...SC

 

V.GE=-15V...+15, VCC= 800V

V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

400

 

A

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per IGBT / Ogni volta. IGBT

 

 

0.39

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

Diodo, inverter/ II. tubo inverso

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

Io...F

 

 

60

 

 

A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

Io...Fondi propri

 

tp= 1 ms

 

120

 

A

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Min. Tipo. Max.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

V.F

 

 

Io...F=60A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.12

1.72 1.64

 

2.50

 

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

 

Io...rm

 

 

 

Io...F=60A

- DiF/dtSmettila.=1700A/μs

V.R = 600 V.

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

64

98

 

107

 

A

 

carico di recupero inverso

Ritorno recupero cArge

 

 

Q.rr

 

4.74

10.79

12.65

 

μC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

Eric

 

1.75

3.87

4.86

 

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per diodo/ Ogni diodo

 

0.62

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

IGBT, Elicottero dei freni/ IGBT- Sì, sì.

Massimo Valori nominali/ massimo limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Collettore-emittentetensione

 

V.CES

 

 

Tvj= 25°C, Io...C=1mA, VGE=0V

 

1200

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C

 

TC= 100°C, Tvj= 175°C

 

50

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

100

 

A

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

V.GES

 

 

±20

 

V.

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

Pdi

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

270

 

W

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati collettore-emettitorea tensione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C= 50A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.02

2.52 2.68

 

2.40

 

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

 

V.GE ((th)

 

Io...C=1,6mA, VCE=10V, Tvj= 25°C

 

 

5.1 5.7 6.3

 

V.

 

极电荷

Porta carico

 

Q.G

 

 

V.GE=-15V... +15V

 

0.23

 

μC

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

CI.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

3.64

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.13

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente limite cdi locazione

 

 

Io...CES

 

V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

 

1.00

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

Io...GES

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

100

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

td( su)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

119

112

 

111

 

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

38

47

 

49

 

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

td(Smettila.)

 

Io...C=50A, VCE=600 V

V.GE=-15V... +15V

RGon= 40Ω

RGoff.= 40Ω

 

Induttivo Loannuncio

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

319

358

 

368

 

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

 

tf

 

176

257

 

237

 

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

Esu

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

4.00

7.00

7.89

 

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

ESmettila.

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

3.13

4.26

4.68

 

mJ

 

短路数据

SC dati

 

 

Io...SC

 

V.GE=-15V...+15, VCC= 800V

V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

155

 

A

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per IGBT / Ogni volta. IGBT

 

 

0.54

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

 

diodo, Elicottero dei freni/ - Sì. - Sì.

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

Io...F

 

 

30

 

 

A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

Io...Fondi propri

 

tp= 1 ms

 

60

 

A

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Min. Tipo. Max..

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

V.F

 

 

Io...F=50A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.10

1.71 1.62

 

2.40

 

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

 

Io...rr

 

 

 

Io...F=50A

- DiF/dtSmettila.=710A/μs V.R = 600 V.

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

28

35

 

36

 

A

 

carico di recupero inverso

Ritorno recupero cArge

 

 

Q.r

 

1.68

4.85

5.79

 

μC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

Eric

 

0.47

1.45

1.75

 

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per diodo/ Ogni diodo

 

1.35

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

Diodio, Rettificatore/ 2 极管,整流

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM

 

Tvj= 25°C

 

1800

 

V.

 

massimo corrente di radice retrogradabile(Ogni chip)

Massimo Corrente RMS in avanti per cippa

 

Io...FRMSM

 

TC = 80°C

 

70

 

 

A

 

massimo intero flusso di uscita

Massimo corrente RMS a rettificatore uscita

 

Io...RMSM

 

TC = 80°C

 

 

130

 

A

 

Flusso di corrente

Avanza.corrente

 

 

Io...FSM

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C, sin180°

 

840

 

 

A

 

Io...2t-

I2t-valore

 

 

Io...2t

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C, sin180°

 

 

3528

 

A2s

 

CarattereValori/ 特征值

       

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

V.F

 

 

Tvj= 25°C, Io...F=60A

 

2.12 2.50

 

V.

 

Corrente elettrica inversa

 

Corrente inversa

 

Io...R

 

Tvj= 125°C, VR=1800V

 

2.0

 

mA

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 1

 

Modulo/

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

绝缘 test tensione elettrica

Isolamentotensione di prova

 

V.ISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piattaforma di base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)

Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Dispersione- Non lo so.

   

 

10

 

mm

 

电气间隙

Autorizzazione

   

 

7.5

 

mm

 

Indice di traccia elettrica

ComparativTracciamento indice

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Simbolo dell' articoloCondizioni Min. Tipo Max. Unità

 

杂散电感,模块

Stray Induttanza modulo

 

LSCE

 

25

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca

 

RCC??+EE TH= 25°C,Ogni chiave/ perinterruttore

 

1.1

 

 

temperatura di stoccaggio

 

Temperatura di stoccaggioperatura

 

Tstg

 

 

- Quaranta. 125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsione di montaggioche per modulo montaggio

 

 

M

 

3.00 6.00

 

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

 

300

 

g

 

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 21200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 3

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 4

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 5

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 6

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 7

1200V 75A IGBT PIM Modulo-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 8