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1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

Dettagli del prodotto

Marca: SPS

Numero di modello: SPS150P12M3M4

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Modulo PIM IGBT Solid Power

,

Modulo PIM IGBT 1200V

,

Modulo PIM IGBT 150A

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

L'indice di potenza solida DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

Modulo PIM IGBT 1200V 150A

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 0

Caratteristiche:
 Tecnologia Trench+ Field Stop 1200V
 Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
 VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
 Basse perdite di cambio
 robustezza del cortocircuito
 
Applicazioni tipiche:
 Azionamenti motori
 Servo drive
 

 

IGBT, Invertitore / IGBTInvertitore

 

Massimo Valori nominali/ massimo limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Collettore-emittentetensione

 

V.CES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C

 

TC= 100°C

 

150

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

300

 

A

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

V.GES

 

 

±20

 

V.

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

Pdi

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

887

 

W

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo Max.

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati collettore-emettitorea tensione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C= 150A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

 

1.65

1.85

 

1.90

 

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

V.GE ((th)

 

Io...C=6mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C

 

5.6 6.37.0

 

V.

 

内部 极电阻

Porta interna resistenza

 

RGint

 

 

Tvj= 25°C

 

 

2.5

 

Ω

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

CI.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

10.6

 

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

0.54

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente limite cdi locazione

 

Io...CES

 

V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

1.00

 

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

 

Io...GES

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

 

500

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

td( su)

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

72

 

80

 

 

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

tr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

74

 

78

 

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

td(Smettila.)

Io...C= 150A, VCE= 600V

V.GE=-15V... +15V

RGon= 5,1Ω

RGoff.= 5,1Ω

 

Induttivo Loannuncio

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

413

 

480

 

 

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

tf

 

56

 

60

 

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

Esu

 

17.2

24.8

 

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

ESmettila.

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

12.4

18.6

 

mJ

 

短路数据

SC dati

 

Io...SC

 

V.GE=-15V...+15, VCC= 600V

V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

 

650

 

A

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per IGBT / Ogni volta. IGBT

 

0.169

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

 

Diodo, inverter/ II. tubo inverso

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

Io...F

 

 

150

 

 

A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

Io...Fondi propri

 

tp= 1 ms

 

300

 

A

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo Max.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

 

V.F

 

Io...F=150A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.85

1.80 1.80

 

2.00

 

 

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

Io...rm

 

 

Io...F=150A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

65

 

80

 

A

 

carico di recupero inverso

Ritorno recupero cArge

 

Q.rr

 

- DiF/dtSmettila.=1600A/μs V.R = 600 V.

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

12.4

24.5

 

μC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

Eric

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

3.6

7.3

 

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per diodo/ Ogni diodo

 

0.30

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

 

IGBT, Elicottero dei freni/ IGBT- Sì, sì.

Massimo Valori nominali/ massimo limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Collettore-emittentetensione

 

V.CES

 

 

Tvj= 25°C, Io...C=1mA, VGE=0V

 

1200

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C

 

TC= 100°C, Tvj= 175°C

 

100

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

200

 

A

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

V.GES

 

 

±20

 

V.

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

Pdi

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

652

 

W

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati collettore-emettitorea tensione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C= 100A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.65

1.95 2.05

 

2.00

 

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

 

V.GE ((th)

 

Io...C= 3,3 mA, VCE=10V, Tvj= 25°C

 

 

5.0 5.7 6.5

 

V.

 

极电荷

Porta carico

 

Q.G

 

 

V.GE=-15V... +15V

 

0.90

 

μC

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

 

CI.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

6.80

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.30

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente limite cdi locazione

 

Io...CES

 

V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

 

1.00

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

Io...GES

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

td( su)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

 

145

 

155

 

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

 

28

 

40

 

 

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

td(Smettila.)

Io...C= 100A, VCE= 600V

V.GE=-15V... +15V

RGon=1,6 Ω

RGoff.=1,6Ω

 

Induttivo Loannuncio

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

325

 

360

 

 

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

 

tf

 

110

 

170

 

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

 

Esu

 

4.9

7.2

 

 

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

ESmettila.

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

 

6.5

9.7

 

mJ

 

短路数据

SC dati

 

Io...SC

 

V.GE=-15V...+15, VCC= 600V

V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

450

 

 

A

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per IGBT / Ogni volta. IGBT

 

0.23

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

 

 

- Quaranta. 150

 

 

°C

 

 

 

diodo, Elicottero dei freni/ - Sì. - Sì.

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

Io...F

 

 

50

 

 

A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

Io...Fondi propri

 

tp= 1 ms

 

100

 

A

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Min. Tipo. Max..

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

 

V.F

 

Io...F=50A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.85

1.80

1.80

 

 

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

Io...rr

 

 

Io...F=50A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

7.00

11.2

 

A

 

carico di recupero inverso

Ritorno recupero cArge

 

Q.r

 

- DiF/dtSmettila.= 2300A/μs V.R = 600 V.

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

80

 

85

 

μC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

Eric

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

 

2.8

4.9

 

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per diodo/ Ogni diodo

 

0.68

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

 

diodo, Rettificatore/ 2 极管,整流

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM

 

Tvj= 25°C

 

1600

 

V.

 

massimo corrente di radice retrogradabile(Ogni chip)

Massimo Corrente RMS in avanti per cippa

 

Io...FRMSM

 

TH = 100°C

 

150

 

 

A

 

massimo intero flusso di uscita

Massimo corrente RMS a rettificatore uscita

 

Io...RMSM

 

 

TH = 100°C

 

150

 

A

 

Flusso di corrente

Avanza.corrente

 

Io...FSM

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C, sin180°

 

1600

 

A

 

Io...2t-

I2t-valore

 

Io...2t

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C, sin180°

 

13000

 

A2S

 

CarattereValori/ 特征值

       

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

 

V.F

 

Tvj= 150°C, Io...F=100A

 

 

1.0

 

V.

 

Corrente elettrica inversa

 

Corrente inversa

 

Io...R

 

Tvj= 125°C, VR=1600V

 

2.0

 

 

mA

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per diodo/ Ogni diodo

 

0.28

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 1

 

Modulo/

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

s

 

绝缘 test tensione elettrica

Isolamentotensione di prova

 

V.ISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

 

2.5

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piattaforma di base

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)

Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Dispersione- Non lo so.

   

 

10

 

mm

 

电气间隙

Autorizzazione

   

 

 

7.5

 

 

mm

 

Indice di traccia elettrica

ComparativTracciamento indice

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Simbolo dell' articoloCondizioni Min. Tipo Max. Unità

 

杂散电感,模块

Stray Induttanza modulo

 

LSCE

 

25

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca

 

RCC??+EE TH= 25°C,Ogni chiave/ perinterruttore

 

 

1.1

 

 

 

temperatura di stoccaggio

 

Temperatura di stoccaggioperatura

 

Tstg

 

- Quaranta. 125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsione di montaggioche per modulo montaggio

 

 

M

 

3.00 6.00

 

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

 

300

 

g

 

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 21200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 31200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 41200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 5

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 6

0

1200V 150A IGBT PIM Module-Solid Power-DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0 7