1200V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B12D3A4-S04050035 V-2.0

IGBT, inverter/ IGBTAl contrario.变器

Valori nominali massimi/massimo valore limite

Articolo

Il simbolo

Condizioni

Valore

Unità

集电极-发射电极 pressione

Collezionistitensione del coperchio

V.CES

Tvj= 25°C ,V.GE=0V

1200

V.

连续集电极直流电流

Corrente continua del collettore CC

Io...C nome

TC= 105°C, Tvjmax= 175°C

600

A

集电极重复峰值电流

Picco ripetitivo collettore corrente

Io...CRM

tp= 1 ms

1200

A

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Emettitore di portale massimo vetà

V.GES

±20

V.

Valori caratteristici/ 特征值

Articolo

Il simbolo

Condizioni

Un minuto. Tipo Max.

Unità

集电极-发射极?? 和电压

Collettore-emittente saturazione tensione

V.CE(seduto)

Io...C= 600A,VGE=15V

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

1.53

1.71

1.83

V.

V.

V.

Pressione elettrica di valore 极

Porta soglia tensione

V.GE ((th)

Io...C= 24mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

5.5

V.

极电荷

Tariffa di accessoe

Q.G

V.GE=-15V... +15V, Io...C= 600A, VCE= 600V

4.1

uC

内部 极电阻

Resistenza interna alla porta

RGint

Tvj= 25°C

2

Ω

Capacità di ingresso

Capacità di ingresso

CI.

Tvj= 25°C,

76

nF

集电极-发射极截止电流

Collettore...corrente di taglio dell'emettitore

Io...CES

V.CE=1200V, VGE=0V,

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 175°C

0.1

0.35

12

mA

mA

mA

极-发射极漏电流 极-discarica 极-discarica

Emittente di portaTer corrente di perdita

Io...GES

V.CE=0V, VGE=±20V, Tvj= 125°C

- 150 dollari. 150

nA

开通延延时间(电感负载)

td(su)

Tvj= 25°C Tvj= 125°C

435

488

ns

ns

Ritardo di accensione tempo, carico induttivo

Tvj= 175°C

510

ns

上升时间( elettricità carico)

Tvj= 25°C

156

ns

Tempo di risalita

Tvj= 125°C Tvj= 175°C

202

225

ns

ns

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità负载)

Disattivazione ritardo tempo, carico induttivo

td(Smettila.)

Io...C= 600A, VCC =600 V

V.GE=±15V

RG= 0,51Ω

CGE=0 nF

Induttivo Load

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 175°C

Tvj= 25°CTvj= 125°C Tvj= 175°C

385

417

427

ns

ns

ns

Il tempo scende( elettricità carico)

Tempo di caduta, induttivocarico

tf

112

148

176

ns

ns

ns

开通损耗能量(Ogni impulso冲)

95

mJ

Perdita di energia di accensione per impulso

Esu

140

171

mJ

mJ

关断损耗能量(Ogni impulso)

67

mJ

Perdite di energia di spegnimento per impulsose

ESmettila.

99

115

mJ

mJ

短路数据

SC dati

Io...SC

V.GE=15V, VCC= 900V

V.CEM CHIP ≤ 1200V. ,Tvj= 175°C

2500

A

结-外 热阻

Termica resistereLa Commissione ha adottato una decisione relativa alla caso

RilJC

Per IGBT /Ogni volta.IGBT

0.05

K/W

temperatura di lavoro

Temperatura in fase di accensione ccondizioni

Tvjop

- Quaranta.150

°C