Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
prodotti
prodotti
Casa. > prodotti > Moduli IGBT EconoDual3 > 1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

Dettagli del prodotto

Marca: SPS

Numero di modello: SPS600B17D3

Termini di pagamento e di spedizione

Ottieni il miglior prezzo
Evidenziare:

Modulo a mezza ponte IGBT 1700V

,

Modulo IGBT Half Bridge DS-SPS600B17D3-S0405G0051

,

600A IGBT Half Bridge Module

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0

Modulo mezzo ponte IGBT 1700 V 600 A

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 0

Caratteristiche:
 Tecnologia Trench+Field Stop da 1700 V
 Diodi di ricircolo con recupero inverso rapido e morbido
 VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo
 Basse perdite di commutazione
 Robustezza al cortocircuito
 
Applicazioni tipiche:
 Azionamenti a motore
 Servoazionamenti
 Sistemi UPS
 Convertitori di accumulo solare/energia
 Turbine eoliche
 

 

IGBT, Invertitore/ IGBT,逆变器

 

Massimo Valori nominali/ 最大额定

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射极电压

Collettore-emettitorevoltaggio

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collecorrente del ctor

 

IOC nom

 

TC=100°C, Tvjmax=175°C

 

600

 

 

UN

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetereittivo corrente del collettore

 

IOCRM

 

TP=1 ms

 

1200

 

UN

 

栅极-发射极峰值电压

Portata massimatensione dell'emettitore

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Valori caratteristici/ 特征值

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

minimoTip.Massimo.

 

Unità

 

集电极-发射极饱e电压

Collettore-emettitore saturatosulla tensione

 

 

VCE(sab)

 

IOC=600A,VGE=15V

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

1,60

1,85 1,90

 

1,90

 

V

V

V

 

栅极阈值电压

Soglia del cancellovoltaggio

 

VGE(th)

 

IOC=18mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

 

 

5.05.8 6.5

 

 

V

 

栅极电荷

Cancello carica

 

QG

 

VGE=-15V…+15V

 

 

4.66

 

 

uC

 

内部栅极电阻

Cancello interno resistore

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

1.7

 

Ω

 

输入电容

Tappo di ingressoacitazione

 

C

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=25 V, VGE=0V

 

 

49,5

 

nF

 

反向传输电容

Trans. inversafer capacità

 

Cris

 

f=1MHz, Tvj=25°C, VCE=10 V, VGE=0V

 

0,75

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emettitore taglio cuaffitto

 

 

IOCES

 

VCE=1700 V, VGE=0 V, Tvj=25°C

 

 

3.00

 

mA

 

栅极-发射极漏电流

Emettitore di gate perdita attuale

 

 

IOGES

 

VCE=0 V, VGE=20 V, Tvj=25°C

 

600

 

 

n / a

 

开通延迟时间(电感负载)

Accendere ritardo, induttivo carico

 

TD( SU)

 

 

 

 

 

 

IOC=600A, VCE=900V

VGE=±15V

RGon=1Ω

RGoff=1Ω

 

Induttivo LoaD,

 

Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C

 

145

170

 

175

 

ns

ns

ns

 

上升时间(电感负载)

Ora di alzarsi, induttivo carico

 

 

TR

 

90

105

 

110

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间(电感负载)

Spegnimento dtempo di attesa, induttivo carico

 

TD(spento)

 

590

700

 

720

 

ns

ns

ns

 

下降时间(电感负载)

Tempo di caduta, induttivo loaD

 

 

TF

 

370

600

 

650

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量(每脉冲)

Accendere energia perdita per pulse

 

ESU

 

79,6

135.1

153,6

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(每脉冲)

Spegnere l'energia perdita per impulso

 

Espento

 

144.3

201.7

212,5

 

mJ

mJ

mJ

 

短路数据

SC dati

 

 

IOSC

 

VGE≤15 V, VCC=1000V

VCEmax=VCES-LsCE·di/dt, tP=10μs, Tvj=150°C

 

1900

 

UN

 

结-外壳热阻

Termico resistenza, junzione a caso

 

RthJC

 

Per IGBT/ 每个 IGBT

 

0,05

 

K/W

 

工作温度

Temperatura eehm, cambio condizioni

 

Tvjop

 

 

 

-40 150

 

 

°C

 

 

Diodo, inverter/ 二极管, 逆变器

Massimo Valori nominali/最大额定值

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

反向重复峰值电压

Picco ripetitivo tensione inversae

 

VRRM

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续正向直流电流

Continuo DC percorrente del reparto

 

IOF

 

 

600

 

 

UN

 

正向重复峰值电流

Picco corrente diretta ripetitiva

 

IOFRM

 

TP=1 ms

 

1200

 

UN

 

Valori caratteristici/ 特征值

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

minimoTip.Massimo.

 

Unità

 

正向电压

Tensione diretta

 

VF

 

 

IOF=600A

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

2.20

2.402.40

 

2,50

 

V

V

V

 

反向恢复峰值电流

 

Picco inversione recupero Ccorrente

 

 

IORM

 

 

 

IOF=600A

-diF/dtspento=7000A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Tvj=25°C800

Tvj=125°C 920

 

Tvj=150°C 950

 

UN

UN

UN

 

恢复电荷

Tassa di recupero

 

 

QR

 

Tvj=25°C 153

Tvj=125°C 237

 

Tvj=150°C 260

 

uC

uC

uC

 

反向恢复损耗(每脉冲)

Inversione recupero energia (per Pimpulso)

 

Erec

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

79,5

153.3

166,7

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外壳热阻

Termico resistenza, junzione a caso

 

RthJC

 

Per diodo/ 每个二极管

 

0,09

 

K/W

 

工作温度

Temperatura eehm, cambio condizioni

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

Termistore NTC / 负温度系数热敏电阻

Valori caratteristici/特征值

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

额定电阻值

Valutato resisttanza

 

R25

 

TC=25°C

 

5.00

 

 

B-

Valore B

 

B25/50

 

 

3375

 

K

 

 

Modulo/ 模块

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

绝缘测试电压

Isolamentotensione di prova

 

VISOL

 

Valore efficace, f=50Hz, t=1min

 

3.4

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piastra di base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, IOCE 61140)

Di base isolamento (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Creepage distanza

 

 

端子-散热foto/terminale to radiatore

端子-端子/terminale a termin

 

14.5

13.0

 

 

mm

 

电气间隙

Liquidazione

 

 

端子-散热foto/terminale to radiatore

端子-端子/terminale a termin

 

12.5

10.0

 

 

mm

 

相对电痕指数

Monitoraggio comparativo indice

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

Articolo

 

Simbolo

 

Condizioni

 

minimo

 

Tip.

 

Massimo.

 

Unità

 

杂散电感,模块

Randagio induttanza modulo

 

lsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引线电阻,端子-foto

Modulo Guida resistenza, terminali - patata fritta

 

RCC'+EE'

 

TC=25°C

 

 

1.10

 

 

 

 

储存温度

 

Temp. di stoccaggioperatura

 

Tstg

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Coppia di montaggioper modulo montaggio

 

M5

 

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接扭矩

Connessione terminalen coppia

 

M6

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

重量

 

Peso

 

G

   

 

345

 

 

G

 

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 1

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 2

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 3

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 4

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 5

1700V 600A IGBT Half Bridge Module-Solid Power-DS-SPS600B17D3-S0405G0051 V-1.0 6