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Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

Name: Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0
Brand: Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0
SKU: SPS50B12G3H6
Rating: 5 (200 reviews)

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Numero di modello: SPS50B12G3H6

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                                                Modulo a mezzo ponte IGBT Mosfet, Modulo di mezzo ponte Mosfet 1200V, Modulo di mezzo ponte Mosfet 50A
                              

Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1200 V 50A IGBT La metà. Ponte Modulo

Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 0

Caratteristiche:

D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

Tipico Applicazioni:

□ Saldatura

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiale della piastra base del modulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		17.0			mm
	- Creep.	terminale a terminale		20.0
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		17.0			mm
	dClea	terminale a terminale		9.5
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 200

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Modulo di induttanza errante	LsCE				20		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo	M6			3.0		5.0	Nm
Torque di connessione terminale	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G				150		g

IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1200	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 25°C	80	A
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 100°C	50	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			100	A
Dissipazione di potenza	Ptot			326	W

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C=50A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		2.07	2.55	V.
			T_vj= 125°C		2.49
			T_vj= 150°C		2.61
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C=2mA		5.2	5.7	6.3	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollari.		200	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 600V, I_C= 50A, V_GE=±15V			0.25		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			3.0		nF
Capacità di trasferimento inverso	Cres	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			0.12		nF
Resistenza interna alla porta	RGint	T_vj= 25°C			2.8		Ω
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 600V,I_C=50A R_G=15Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		52		ns
			T_vj= 125°C		49		ns
			T_vj= 150°C		49		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		27		ns
			T_vj= 125°C		30		ns
			T_vj= 150°C		31		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 600V,I_C=50A R_G=15Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		192		ns
			T_vj= 125°C		230		ns
			T_vj= 150°C		240		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		152		ns
			T_vj= 125°C		202		ns
			T_vj= 150°C		207		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 600V,I_C=50A R_G=15Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		3.3		mJ
			T_vj= 125°C		5.2		mJ
			T_vj= 150°C		5.9		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		2.3		mJ
			T_vj= 125°C		3.0		mJ
			T_vj= 150°C		3.2		mJ
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			260	A
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					0.46	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Diodo

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F			50	A
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			100	A
Io...²Valore t	Io...²t			490	A²s

Caratteristica Valori/特征值

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 50A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.11	2.60	V.
			T_vj= 125°C		1.85
			T_vj= 150°C		1.75
Corrente di recupero inversa massima	IRRM	Io..._F=50A DI_F/dt=-1300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		59		A
			T_vj= 125°C		83
			T_vj= 150°C		90
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		2.0		μC
			T_vj= 125°C		6.5
			T_vj= 150°C		8.9
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		0.3		mJ
			T_vj= 125°C		1.7
			T_vj= 150°C		2.7
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					0.95	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

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IGBT

Trasferimento caratteristica (tipico) Sostituzione perdite IGBT(tipico)

Io..._C= f (V_GE) E = f (R_G)

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 50A, V_CE= 600V

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IGBT RBSOA

Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 15Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_Goff= 15Ω, T_vj= 150°C

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Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente tensione Carica di ingresso (tipica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 50A, V_CE= 600V

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IGBT

IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

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Perdite di commutazione Diodo (tipico)Perdite di diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 50A, V_CE= 600V R_G= 15Ω, V_CE= 600V

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Impedenza termica transitoria del diodo in funzione della larghezza dell'impulso

Zth(j-c) = f (t)

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Un modulo half bridge IGBT da 1200 V 50 A è un dispositivo di elettronica di potenza con due transistor bipolari a cancello isolato (IGBT) configurati in una configurazione half bridge.È progettato per applicazioni che richiedono un controllo bidirezionale della corrente, con una tensione massima di 1200 volt e una capacità di corrente di 50 ampere.e applicazioni simili in cui è fondamentale un controllo preciso sia della tensione che della corrente. Un circuito di raffreddamento e di azionamento dei cancelli adeguato è essenziale per una prestazione affidabile.

Circuito Diagramma Titolo

Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 12

Pacco linee guida

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