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Numero di modello: SPS75B17G3
Termini di pagamento e di spedizione
Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.
1700V 75A IGBT La metà. Ponte Modulo
Caratteristiche:
Tipico Applicazioni:
IGBT, inverter / IGBT, inversore
Valori nominali massimi / máximo额定值
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
||
集电极-发射电极 pressione Emissioni da collezionistar tensione |
V.CES |
Tvj= 25°C |
1700 |
V. |
||
连续集电极直流电流 Continuo DC collacorrente ctor |
Io...C nome |
75 |
A |
|||
集电极重复峰值电流 Picco ripetidi cui corrente del collettore |
Io...CRM |
tp= 1 ms |
150 |
A |
||
totale perdita di potenza Totale potenza dissolvereLa Commissione |
Pdi |
TC= 25°C,Tvjmax= 175°C |
535 |
W |
||
极- lancio 极峰值 tensione elettrica Portata massimatensione dell'emittente elettrico |
V.GES |
±20 |
V. |
|||
massima temperatura Connessione massiman temperatura |
Tvjmax |
175 |
°C |
|||
CarattereValori/ 特征值 |
||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Min. Tipo. Max. |
Unità |
||
集电极-发射极?? 和电压 Collettore-emittente stensione di atturazione |
V.CE(seduto) |
Io...C=75,VGE=15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.24 2.51 2.56 |
2.60 |
V. V. V. |
Pressione elettrica di valore 极 Limita di accessotensione |
V.GE ((th) |
Io...C=3mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C |
4.5 5.9 6.5 |
V. |
||
极电荷 Porta carico |
Q.G |
V.GE=-15V... +15V |
0.47 |
uC |
||
内部 极电阻 Porta interna resistenza |
RGint |
Tvj= 25°C |
10.8 |
Ω |
||
Capacità di ingresso Limitazione dell'inputacitance |
CI. |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V |
5.03 |
nF |
||
Capacità di trasmissione inversa Trasferimento inversoCapacità di sfera |
Cres |
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V |
0.18 |
nF |
||
集电极-发射极截止电流 Collettore-emittente taglio-off corrente |
Io...CES |
V.CE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C |
3.00 |
mA |
||
- Sì, sì.-发射极漏电流 Emittente di porta perdite corrente |
Io...GES |
V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C |
400 |
nA |
||
开通延延时间( elettricità carico) Accensione tempo di ritardo, induttivo carico |
td(su) |
Io...C= 75A, VCE=900 V V.GE=±15V RGon= 6,6Ω RGoff.= 6,6Ω
Induttivo Load, |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
174 184
188 |
ns ns ns |
|
上升时间( elettricità carico) E' ora di alzarsi. induttivo carico |
tr |
80 83
81 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico) Sgombero dtempo di elay, induttivo carico |
td(Smettila.) |
319 380
401 |
ns ns ns |
|||
Il tempo scende( elettricità carico) In autunno, induttivo carico |
tf |
310 562
596 |
ns ns ns |
|||
开通损耗能量(Ogni impulso) Accensione energia perdita per puLise. |
Esu |
24.7 27.6 28.4 |
mJ mJ |
|||
关断损耗能量(Ogni impulso) Energia di spegnimento perdita per polso |
ESmettila. |
10.9 16.1 17.5 |
mJ mJ |
|||
短路数据 SC dati |
Io...SC |
V.GE≤ 15V, VCC=1000V V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C |
240 |
A |
结-外 热阻 Termica resistenza,azione a caso |
RilJC |
Per IGBT / Ogni volta.IGBT |
0.28 K/W |
|||
temperatura di lavoro Temperatura eil passaggio Condizioni |
Tvjop |
- Quaranta. 150 °C |
||||
Diodo, inverter/ 二极管, inverter Massimo Valori nominali/ valore massimo |
||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore Unità |
|||
tensione elettrica di picco inverso e ricorrente Picco ripetitivo tensione inversae |
V.RRM |
Tvj= 25°C |
1700 V. |
|||
continua corrente elettrica diretta Continuo DC percorrente del reparto |
Io...F |
75 A |
||||
Strumenza di picco di ripetizione Picco corrente in avanti ripetitiva |
Io...Fondi propri |
tp= 1 ms |
150 A |
|||
CarattereValori/ 特征值 |
||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Un minuto. Tipo Max Unità |
|||
tensione elettrica in direzione Voltaggio in avanti |
V.F |
Io...F= 75A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
1.59 1.72 1.71 |
2.25 |
V. V. V. |
Corrente elettrica verso il picco di ripristino
Picco inverso recupero cdi locazione |
Io...RM |
Io...F= 75A - DiF/dtSmettila.=1100A/μs V.R = 900 V
V.GE=-15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
85 101
108 |
A A A |
|
恢复电荷 Tariffa di recupero |
Q.r |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
23.5 32.9 36.2 |
uC uC uC |
||
Distorsione di carico (per ogni impulso) Ritorno recupero energia (per pulso) |
Eric |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
11.8 17.8 19.6 |
mJ mJ mJ |
||
结-外 热阻 Termica resistenza,azione a caso |
RilJC |
Per diodo/ Ogni diodo |
0.48 K/W |
|||
temperatura di lavoro Temperatura eil passaggio Condizioni |
Tvjop |
- Quaranta. 150 °C |
Modulo / 模块
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità s |
绝缘 test tensione elettrica Isolamentotensione di prova |
V.ISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
4.0 |
kV |
模块基板材料 Materiale di modulo piattaforma di base |
Cu |
|||
内部绝缘 Interno isolamento |
基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140) Di base isolamento (classe 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Dispersione- Non lo so. |
端子-散热片/ terminale to scaldabagno 端子-端子/ terminale a terminato |
17
20 |
mm |
|
电气间隙 Autorizzazione |
端子-散热片/ terminale to scaldabagno 端子-端子/ terminale a terminato |
17 9.5 |
mm |
|
Indice di traccia elettrica Tracciamento comparato indice |
CTI |
> 200 |
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
Unità |
杂散电感,模块 Stray Induttanza modulo |
LSCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子- chip
Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca |
RCC+EE RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
temperatura di stoccaggio
Temperatura di stoccaggioperatura |
Tstg |
- Quaranta. |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torsione di montaggioche per modulo montaggio |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
端子联接 torsion distanza Connessione terminalen coppia |
M |
M5 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
Peso
Peso |
G |
160 |
g |
IGBT IGBT
Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica) Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Caratteristica di trasferimento IGBT, Inverter (tipica) Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipica)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico)
E=f (RG) E=f ((IC)
VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V
IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Impedanza termica transitorio IGBT, Inverter
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=± 15V, IC=75A, VCE=900V
IGBT, RBSOA
Area di funzionamento di sicurezza per il bias inverso IGBT, Inverter (RBSOA) Caratteristica del diodo, dell'inverter (tipica)
Io...C=f(VCE)Io...F=f(VF)
V.GE=±15V, RGoff.= 6,6Ω, Tvj = 150°C
Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico) Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V
Diodo di impedenza termica transitorio, inverter
ZthJC=f (t)
Un "IGBT 1700V" è un transistor bipolare a cancello isolato in grado di gestire una tensione massima di 1700 volt.di potenza inferiore o uguale a:Per ottenere prestazioni ottimali, è necessario un circuito di raffreddamento e di azionamento dei cancelli adeguato.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida