Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
prodotti
prodotti
Casa. > prodotti > Moduli IGBT 34 mm > 1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Dettagli del prodotto

Numero di modello: SPS75B17G3

Termini di pagamento e di spedizione

Ottieni il miglior prezzo
Evidenziare:

Modulo IGBT a ponte 75A H

,

Modulo IGBT a ponte 1700V H

,

Modulo IGBT 1700V

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700V 75A IGBT La metà. Ponte Modulo

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Caratteristiche:

  • Struttura di arresto di trench gate e campo 1700V
  • Capacità di cortocircuito elevata
  • Basse perdite di cambio
  • Alta affidabilità
  • Coefficiente di temperatura positivo

 

 

Tipico Applicazioni:

  • Motori motori
  • Servo-driver
  • Invertitori e alimentatori
  • Prodotti fotovoltaici

 

IGBT, inverter / IGBT, inversore

Valori nominali massimi / máximo额定值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Emissioni da collezionistar tensione

 

V.CES

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C nome

 

 

75

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

150

 

A

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

Pdi

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

V.GES

 

 

±20

 

V.

 

massima temperatura

Connessione massiman temperatura

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Min. Tipo. Max.

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Collettore-emittente stensione di atturazione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C=75,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V.

V.

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

V.GE ((th)

 

Io...C=3mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V.

 

极电荷

Porta carico

 

 

Q.G

 

V.GE=-15V... +15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

Porta interna resistenza

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

10.8

 

Ω

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

 

CI.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente taglio-off corrente

 

Io...CES

 

V.CE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

Io...GES

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

 

td(su)

 

 

 

 

 

 

 

Io...C= 75A, VCE=900 V

V.GE=±15V

RGon= 6,6Ω

RGoff.= 6,6Ω

 

Induttivo Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

174

184

 

188

 

ns

ns

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

tr

 

80

83

 

81

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

td(Smettila.)

 

319

380

 

401

 

ns

ns

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

tf

 

310

562

 

596

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

 

Esu

 

24.7

27.6

28.4

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

ESmettila.

 

10.9

16.1

17.5

 

mJ

mJ

 

短路数据

SC dati

 

Io...SC

 

V.GE≤ 15V, VCC=1000V

V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

240

 

A

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

 

RilJC

 

 

Per IGBT / Ogni volta.IGBT

 

 

0.28 K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150 °C

 

Diodo, inverter/ 二极管, inverter

Massimo Valori nominali/ valore massimo

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

 

V.RRM

 

 

Tvj= 25°C

 

1700 V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

 

Io...F

 

 

75 A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

Io...Fondi propri

 

 

tp= 1 ms

 

150 A

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo Max Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

 

V.F

 

Io...F= 75A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V.

V.

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

Io...RM

 

 

Io...F= 75A

- DiF/dtSmettila.=1100A/μs

V.R = 900 V

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

101

 

108

 

A

A

A

 

恢复电荷

Tariffa di recupero

 

Q.r

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

Eric

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per diodo/ Ogni diodo

 

0.48 K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

 

 

- Quaranta. 150 °C

 

 

Modulo / 模块

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

s

 

绝缘 test tensione elettrica

Isolamentotensione di prova

 

V.ISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piattaforma di base

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)

Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Dispersione- Non lo so.

 

 

端子-散热片/ terminale to scaldabagno

端子-端子/ terminale a terminato

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Autorizzazione

 

 

端子-散热片/ terminale to scaldabagno

端子-端子/ terminale a terminato

 

17

9.5

 

 

mm

 

Indice di traccia elettrica

Tracciamento comparato indice

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto.

 

Tipo.

 

- Max, ti prego.

 

Unità

 

杂散电感,模块

Stray Induttanza modulo

 

LSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

temperatura di stoccaggio

 

Temperatura di stoccaggioperatura

 

Tstg

 

 

- Quaranta.

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsione di montaggioche per modulo montaggio

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 torsion distanza

Connessione terminalen coppia

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica) Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Caratteristica di trasferimento IGBT, Inverter (tipica) Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipica)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Impedanza termica transitorio IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=± 15V, IC=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Area di funzionamento di sicurezza per il bias inverso IGBT, Inverter (RBSOA) Caratteristica del diodo, dell'inverter (tipica)

Io...C=f(VCE)Io...F=f(VF)

V.GE=±15V, RGoff.= 6,6Ω, Tvj = 150°C

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico) Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Diodo di impedenza termica transitorio, inverter

ZthJC=f (t)

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

Un "IGBT 1700V" è un transistor bipolare a cancello isolato in grado di gestire una tensione massima di 1700 volt.di potenza inferiore o uguale a:Per ottenere prestazioni ottimali, è necessario un circuito di raffreddamento e di azionamento dei cancelli adeguato.

 

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Circuito Diagramma Titolo 

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Pacco linee guida 

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10