OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

L'indice di potenza solida-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200 V 100A IGBT La metà. Ponte Modulo

1200 V 100A IGBT 

Caratteristiche:

D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

TipicoApplicazioni: 

□ Saldatura

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)

Io..._C= f (V_GE) E = f (R_G)

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

 Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 10Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_Goff= 10Ω, T_vj= 150°C

Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente Porta di tensione carico(tipico)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

   Sostituzione perdite Diodo (tipico) Scambio perdite Diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 30A, V_CE= 600V R_G= 10Ω, V_CE= 600V

Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di polsolarghezza

Zth(j-c) = f (t)