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150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: 150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: 150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
Rating: 4.6 (142 reviews)

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Numero di modello: SPS150B12G3M4

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                                                Modulo IGBT ad alta potenza 34 mm, Modulo IGBT ad alta potenza 150A, Modulo IGBT 150A 34 mm
                              

150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

- Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

1200 V 150A IGBT La metà. Ponte Modulo

1200 V 150A IGBT

Caratteristiche:

D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

Tipico Applicazioni:

□ Motori/servo-azionamenti

□ Convertitori ad alta potenza

□ UPS

□ fotovoltaica

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiale della piastra base del modulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		17.0			mm
	- Creep.	terminale a terminale		20.0
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		17.0			mm
	dClear	terminale a terminale		9.5
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 200

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Modulo di induttanza errante	LsCE				20		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo	M6			3.0		5.0	Nm
Torque di connessione terminale	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G				160		g

IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1200	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 25°C	200	A
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 100°C	150	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			300	A
Dissipazione di potenza	Ptot			600	W

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C= 150A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V.
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C= 6mA		5.0	5.8	6.5	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollari.		200	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 600V, I_C= 150A, V_GE=±15V			1.8		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			30.0		nF
Capacità di uscita	Coes				0.95
Capacità di trasferimento inverso	Cres				0.27
Resistenza interna alla porta	RGint	T_vj= 25°C			2		Ω
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 600V,I_C=150A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		128		ns
			T_vj= 125°C		140		ns
			T_vj= 150°C		140		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		48		ns
			T_vj= 125°C		52		ns
			T_vj= 150°C		52		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 600V,I_C=150A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		396		ns
			T_vj= 125°C		448		ns
			T_vj= 150°C		460		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		284		ns
			T_vj= 125°C		396		ns
			T_vj= 150°C		424		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 600V,I_C=150A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		4.9		mJ
			T_vj= 125°C		7.6		mJ
			T_vj= 150°C		8.3		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		16.1		mJ
			T_vj= 125°C		21.7		mJ
			T_vj= 150°C		22.5		mJ
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			650	A
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					0.25	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Diodo

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F			150	A
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			300	A

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 150A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V.
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Tempo di recupero inverso	trr	Io..._F=150A DI_F/dt=-3300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		94		ns
			T_vj= 125°C		117
			T_vj= 150°C		129
Corrente di recupero inversa massima	IRRM		T_vj= 25°C		151		A
			T_vj= 125°C		166
			T_vj= 150°C		170
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		15.6		μC
			T_vj= 125°C		23.3
			T_vj= 150°C		24.9
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		6.7		mJ
			T_vj= 125°C		10.9
			T_vj= 150°C		11.9
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					0.46	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		150	°C

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 5

IGBT

Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)

Io..._C= f (V_GE) E = f (R_G)

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 150A, V_CE= 600V

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IGBT RBSOA

Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V V_GE= ±15V, R_Goff= 5.1Ω, T_vj= 150°C

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Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente tensione Carica di ingresso (tipica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 150A, V_CE= 600V

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IGBT in avanti caratteristica di Diodo (tipico)

IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezzaIo..._F= f (V_F)

Zth(j-c) = f (t)

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Perdite di commutazione Diodo (tipico)Perdite di diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 150A, V_CE= 600V R_G= 3,3Ω, V_CE= 600V

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Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza

Zth(j-c) = f (t)

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Il modulo IGBT Half Bridge (1200V 150A) integra due IGBT in una configurazione half-bridge.con una tensione di 1000 V o superiore ma non superiore a 1000 VUn raffreddamento efficace è essenziale per un funzionamento affidabile, e le specifiche dettagliate possono essere trovate nella scheda informativa del fabbricante.

Circuito Diagramma Titolo

150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

Pacco linee guida

Dimensioni in mm

Tags:

Moduli IGBT 34 mm

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150A Modulo IGBT ad alta potenza 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Modulo IGBT ad alta potenza 34 mm

Modulo IGBT ad alta potenza 150A

Modulo IGBT 150A 34 mm

Massimo Classificato Valori

Massimo Classificato Valori

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Moduli automobilistici di IGBT,

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Modulo mezzo ponte IGBT 75A 1200V Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005

Modulo di alimentazione a mezzo ponte IGBT 1200V 75A Solid Power-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

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