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IGBT discreto

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Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
Rating: 4.7 (124 reviews)

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Numero di modello: SPS100B17G3R8

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Configurazione:	Un invertitore di 3 fasi	Corrente - collettore (CI) (massimo):	200A
Corrente - taglio del collettore (massimo):	1mA	Tassa del portone:	100nC
Tipo di input:	Norme	Tipo di montaggio:	Montaggio del telaio
Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 150°C	Confezione / Cassa:	Modulo da 34 mm
Tipo di pacchetto:	Modulo	Potenza - Max:	1.2KW
Tempo di recupero inverso (trr):	100ns	Energia di commutazione:	1.2 mJ
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):	600 V	Tensione - saturazione dell'emittente del collettore (max):	1.8V

Configurazione:	Un invertitore di 3 fasi
Corrente - collettore (CI) (massimo):	200A
Corrente - taglio del collettore (massimo):	1mA
Tassa del portone:	100nC
Tipo di input:	Norme
Tipo di montaggio:	Montaggio del telaio
Temperatura di funzionamento:	-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:	Modulo da 34 mm
Tipo di pacchetto:	Modulo
Potenza - Max:	1.2KW
Tempo di recupero inverso (trr):	100ns
Energia di commutazione:	1.2 mJ
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):	600 V
Tensione - saturazione dell'emittente del collettore (max):	1.8V

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Solid Power-DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

1700V 100A IGBT La metà. Ponte Modulo

1700V 100A IGBT

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Caratteristiche:

D Tecnologia 1700V Trench+ Field Stop

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

Tipico Applicazioni:

□ Motori/servo-azionamenti

□ Convertitori ad alta potenza

□ UPS

□ fotovoltaica

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiale della piastra base del modulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		17.0			mm
	- Creep.	terminale a terminale		20.0
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		17.0			mm
	dClear	terminale a terminale		9.5
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 200

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Modulo di induttanza errante	LsCE				20		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo	M6			3.0		5.0	Nm
Torque di connessione terminale	M5			2.5		5.0	Nm
Peso	G				160		g

IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1700	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 25°C	180	A
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 100°C	100	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			200	A
Dissipazione di potenza	Ptot			535	W

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C= 100A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V.
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C=4mA		5.0	5.8	6.5	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollari.		200	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 900V, I_C= 75A, V_GE=±15V			0.6		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			9.00		nF
Capacità di uscita	Coes				0.58
Capacità di trasferimento inverso	Cres				0.14
Resistenza interna alla porta	RGint	T_vj= 25°C			9		Ω
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 900V,I_C=100A R_G= 5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		194		ns
			T_vj= 125°C		218		ns
			T_vj= 150°C		222		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		48		ns
			T_vj= 125°C		60		ns
			T_vj= 150°C		66		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 900V,I_C=100A R_G= 5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		322		ns
			T_vj= 125°C		494		ns
			T_vj= 150°C		518		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		500		ns
			T_vj= 125°C		676		ns
			T_vj= 150°C		740		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 900V,I_C=100A R_G= 5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		20.1		mJ
			T_vj= 125°C		33.4		mJ
			T_vj= 150°C		36.8		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		20.7		mJ
			T_vj= 125°C		30.6		mJ
			T_vj= 150°C		32.8		mJ
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			360	A
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					0.28	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		175	°C

Diodo

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F		T_C= 25°C	140	A
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F		T_C= 100°C	100
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			200

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 100A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V.
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Tempo di recupero inverso	trr	Io..._F=100A DI_F/dt=-2100A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		120		ns
			T_vj= 125°C		180
			T_vj= 150°C		200
Corrente di recupero inversa massima	IRRM		T_vj= 25°C		193		A
			T_vj= 125°C		216
			T_vj= 150°C		218
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		20		μC
			T_vj= 125°C		40
			T_vj= 150°C		47
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		4.9		mJ
			T_vj= 125°C		21.2
			T_vj= 150°C		24.1
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					0.40	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		175	°C

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 5

Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)

Io..._C= f (V_GE) E = f (R_G)

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 100A, V_CE= 900V

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 6

IGBT RBSOA

Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 5.1Ω, V_CE= 900V V_GE= ±15V, R_Goff= 5.1Ω, T_vj= 150°C

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 7

Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente tensione Carica di ingresso (tipica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 900V

IGBT

IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 9

Perdite di commutazione Diodo (tipico)Perdite di diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 100A, V_CE= 900V R_G= 5,1Ω, V_CE= 900V

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 10

Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza

Zth(j-c) = f (t)

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 11

Il modulo "1700V 100A IGBT Half Bridge Module" integra due IGBT in una configurazione a mezzo ponte, adatto per applicazioni che richiedono una potenza moderata.Fornisce un controllo preciso della tensione (1700V) e della corrente (100A), che richiede un raffreddamento efficace per un funzionamento affidabile.

Circuito Diagramma Titolo

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 12

Pacco linee guida

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 13

Dimensioni in mm

Tags:

Moduli IGBT 34 mm

Moduli IGBT 62 mm

Moduli IGBT EconoDual3

Moduli IGBT EasyPIM

Moduli IGBT

Moduli IGBT EconoPIM

Moduli per autoveicoli

Discretati di SiC ibridi

Mosfet discreto

IGBT discreto

Moduli IGBT per automobili personalizzati 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Moduli IGBT per autoveicoli personalizzati

Moduli IGBT per autoveicoli 34 mm

Moduli personalizzati 34 mm

Massimo Classificato Valori

Massimo Classificato Valori

Modulo dell'elicottero freno,

Moduli automobilistici di IGBT,

Modulo IGBT per elicotteri

Modulo mezzo ponte IGBT 75A 1200V Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005

Modulo di alimentazione a mezzo ponte IGBT 1200V 75A Solid Power-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

Modulo Half Bridge Mosfet IGBT 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1700V 75A H Bridge IGBT Modulo DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019