DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H Bridge Mosfet Module 1200V 450A ODM
"Solid Power-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1".0.
1200 V 450A IGBT La metà. Ponte Modulo
Caratteristiche:
D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V
□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
□ VCE (sat)con coefficiente di temperatura positivo
□ Basse perdite di cambio
□ cortocircuito
□ riscaldamento induttivo
□ Saldatura
□ Applicazioni di commutazione ad alta frequenza
Pacchetto IGBT
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
|
Tensione di prova di isolamento
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|
Materiale della piastra base del modulo
|
|
|
Cu |
|
|
Isolamento interno
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3 |
|
|
Distanza di trascinamento
|
- Creep. |
terminale al dissipatore di calore |
29.0 |
mm |
| - Creep. |
terminale a terminale |
23.0 |
|
Autorizzazione
|
dClear |
terminale al dissipatore di calore |
23.0 |
mm |
| dClear |
terminale a terminale |
11.0 |
|
Indice di tracciamento comparato
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
| Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
|
Modulo di induttanza errante
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Temperatura di conservazione
|
Tstg |
|
- Quaranta. |
|
125 |
°C |
|
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
Torque di connessione terminale
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Peso
|
G |
|
|
320 |
|
g |
IGBT massimo Classificato Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
|
Voltaggio del collettore-emettitore
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V. |
|
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta
|
VGES |
|
± 20 |
V. |
|
Tensione transitorio del portale-emettitore
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V. |
|
Corrente continua del collettore CC
|
Io...C |
|
TC= 25°C |
675 |
A |
| TC= 100°C |
450 |
|
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da Tjmax
|
ICpulse |
|
900 |
A |
|
Dissipazione di potenza
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Caratteristica Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
| Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
|
Tensione di saturazione collettore-emettitore
|
VCE (sat) |
Io...C= 450A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V.
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Tensione di soglia di ingresso
|
VGE (th) |
V.CE=VGEIo...C= 18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V. |
|
Corrente di taglio tra collettore ed emittente
|
ICES |
V.CE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Corrente di perdita del gate-emitter
|
IGES |
V.CE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- 200 dollari. |
|
200 |
nA |
|
Carico della porta
|
Q.G |
V.CE= 600V, IC= 450A, VGE=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Capacità di ingresso
|
- Cies |
V.CE= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
Capacità di uscita
|
Coes |
|
2.84 |
|
|
Capacità di trasferimento inverso
|
Cres |
|
0.81 |
|
|
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo
|
Td (connesso) |
V.CC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
V.GE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
168 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
172 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
176 |
|
ns |
|
Tempo di risalita, carico induttivo
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
80 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
88 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
92 |
|
ns |
|
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo
|
sd (spento) |
V.CC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
V.GE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
624 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
668 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
672 |
|
ns |
|
Tempo di caduta, carico induttivo
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
348 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
356 |
|
ns |
|
Perdita di energia di accensione per impulso
|
Eon |
V.CC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
V.GE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
17.2 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
27.1 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
30.0 |
|
mJ |
|
Disattivare Perdite di energia per impulso
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
52.3 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
64.3 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
67.1 |
|
mJ |
|
Dati SC
|
CSI |
V.GE≤ 15V, VCC= 800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
2000 |
A |
|
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
K/W |
|
Temperatura di funzionamento
|
TJop |
|
- Quaranta. |
|
150 |
°C |
Diodo Massimo Classificato Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
|
Voltaggio inverso ripetitivo
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V. |
|
Corrente continua di corrente continua in avanti
|
Io...F |
|
450 |
A
|
|
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da TJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Caratteristica Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
| Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
|
Voltaggio in avanti
|
V.F |
Io...F= 450A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V.
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Tempo di recupero inverso
|
trr |
Io...F=450A
DIF/dt=-5600A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600V,
V.GE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
134 |
|
ns
|
| Tvj= 125°C |
216 |
| Tvj= 150°C |
227 |
|
Corrente di recupero inversa massima
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
317 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
376 |
| Tvj= 150°C |
379 |
|
Tariffa di recupero inverso
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
63.2 |
| Tvj= 150°C |
65.4 |
|
Perdite di energia di recupero inverso per impulso
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
15.9 |
|
mJ
|
| Tvj= 125°C |
27.0 |
| Tvj= 150°C |
28.1 |
|
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
K/W |
|
Temperatura di funzionamento
|
TJop |
|
- Quaranta. |
|
150 |
°C |
Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)
Io...C= f (VCE) IC= f (VCE) Tvj= 150°C
IGBT
Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)
Io...C= f (VGE) E = f (RG)
V.CE= 20 V VGE= ±15V, IC= 450A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
V.GE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, RGoff= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente Porta di tensione carico(tipico)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450A, VCE= 600V
IGBT
IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Sostituzione perdite Diodo (tipico) Scambio perdite Diodo (tipico)
Eric= f (RG) Eric= f (IF)
Io...F= 450A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di polsolarghezza
Zth(j-c) = f (t)
Un IGBT 1200V (Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo semiconduttore con una tensione nominale di 1200 volt.Questo tipo di dispositivo è comunemente utilizzato in applicazioni ad alta tensione come inverter di potenza e motori.
Punti chiave:
1. Voltaggio nominale (1200V): indica la tensione massima che l'IGBT può gestire.di potenza inferiore o uguale a 1000 W.
2. Applicazioni: IGBT 1200V sono comuni nei settori ad alta potenza come i motori industriali, le sorgenti di alimentazione ininterrotte (UPS), i sistemi di energia rinnovabile, ecc.,quando è necessario un controllo preciso dell'alta tensione.
3. Velocità di commutazione: gli IGBT possono accendersi e spegnersi rapidamente, rendendoli adatti per applicazioni che richiedono commutazioni ad alta frequenza.Le caratteristiche specifiche di commutazione dipendono dal modello e dal costruttore.
4. Requisiti di raffreddamento:** Come molti dispositivi elettronici di potenza, gli IGBT generano calore durante il funzionamento.sono spesso richiesti per garantire le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.
5. foglio dati:per informazioni dettagliate su un IGBT specifico a 1200 V, è essenziale fare riferimento alla scheda dati del produttore.caratteristiche elettriche, e linee guida per l'applicazione e la gestione termica.
Quando si utilizza un IGBT a 1200 V in un circuito o sistema, i progettisti devono considerare fattori quali i requisiti di azionamento del cancello, i meccanismi di protezione,e considerazioni termiche per garantire un funzionamento corretto e affidabile.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida
Dimensioni in mm
mm
Il tuo messaggio deve contenere da 20 a 3000 caratteri!
