Modulo di alimentazione OEM IGBT 1200V 300A Modulo a mezzo ponte DS-SPS300B12G6M4-S04020025
L'indice di potenza solida-DS-SPS300B12G6M4-S04020025
1200 V 300A IGBT La metà. Ponte Modulo
D Tecnologia di arresto di campo a 1200 V
□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
□ VCE (sat)con coefficiente di temperatura positivo
□ Basse perdite di cambio
□ riscaldamento induttivo
□ Saldatura
□ Applicazioni di commutazione ad alta frequenza
Pacco
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
|
Tensione di prova di isolamento
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
kV
|
|
Materiale della piastra base del modulo
|
|
|
Cu
|
|
|
Isolamento interno
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)
|
Al2O3
|
|
|
Distanza di trascinamento
|
- Creep. |
terminale al dissipatore di calore |
29.0 |
mm
|
| - Creep. |
terminale a terminale |
23.0 |
|
Autorizzazione
|
dClear |
terminale al dissipatore di calore |
23.0 |
mm
|
| dClear |
terminale a terminale |
11.0 |
|
Indice di tracciamento comparato
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
| Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
|
Modulo di induttanza errante
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Temperatura di conservazione
|
Tstg |
|
- Quaranta.
|
|
125
|
°C |
|
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Torque di connessione terminale
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Peso
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Massimo Classificato Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
|
Voltaggio del collettore-emettitore
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V.
|
|
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta
|
VGES |
|
± 20
|
V.
|
|
Tensione transitorio del portale-emettitore
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V.
|
|
Corrente continua del collettore CC
|
Io...C |
|
TC= 25°C |
400 |
A
|
| TC= 100°C |
300 |
|
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da Tjmax
|
ICpulse |
|
600
|
A
|
|
Dissipazione di potenza
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Caratteristica Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
| Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
|
Tensione di saturazione collettore-emettitore
|
VCE (sat) |
Io...C= 300A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V.
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Tensione di soglia di ingresso
|
VGE (th) |
V.CE=VGEIo...C= 12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V.
|
|
Corrente di taglio tra collettore ed emittente
|
ICES |
V.CE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Corrente di perdita del gate-emitter
|
IGES |
V.CE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- 200 dollari. |
|
200 |
nA |
|
Carico della porta
|
Q.G |
V.CE= 600V, IC= 300A, VGE=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Capacità di ingresso
|
- Cies |
V.CE= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Capacità di uscita
|
Coes |
|
1.89 |
|
|
Capacità di trasferimento inverso
|
Cres |
|
0.54 |
|
|
Resistenza interna alla porta
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
1.2 |
|
Ω |
|
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo
|
Td (connesso) |
V.CC= 600V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
130 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
145 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
145 |
|
ns |
|
Tempo di risalita, carico induttivo
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
60 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
68 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
68 |
|
ns |
|
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo
|
sd (spento) |
V.CC= 600V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
504 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
544 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
544 |
|
ns |
|
Tempo di caduta, carico induttivo
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
244 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
365 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
370 |
|
ns |
|
Perdita di energia di accensione per impulso
|
Eon |
V.CC= 600V,IC= 300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
7.4 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
11.1 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
11.6 |
|
mJ |
|
Disattivare Perdite di energia per impulso
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
32.0 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
39.5 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
41.2 |
|
mJ |
|
Dati SC
|
CSI |
V.GE≤ 15V, VCC= 600V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
1350
|
A
|
|
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
K/W |
|
Temperatura di funzionamento
|
TJop |
|
- Quaranta. |
|
150 |
°C |
Diodo
Massimo Classificato Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
|
Voltaggio inverso ripetitivo
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V.
|
|
Corrente continua di corrente continua in avanti
|
Io...F |
|
300
|
A
|
|
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Caratteristica Valori
| Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valori |
Unità |
| Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
|
Voltaggio in avanti
|
V.F |
Io...F= 300A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V.
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Tempo di recupero inverso
|
trr |
Io...F= 300A
DIF/dt=-4900A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600V,
V.GE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
90 |
|
ns
|
| Tvj= 125°C |
120 |
| Tvj= 150°C |
126 |
|
Corrente di recupero inversa massima
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
212 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
245 |
| Tvj= 150°C |
250 |
|
Tariffa di recupero inverso
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
27 |
| Tvj= 150°C |
35 |
|
Perdite di energia di recupero inverso per impulso
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
7.7 |
|
mJ
|
| Tvj= 125°C |
13.3 |
| Tvj= 150°C |
14.0 |
|
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
K/W
|
|
Temperatura di funzionamento
|
TJop |
|
- Quaranta.
|
|
150
|
°C |
Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)
Io...C= f (VCE) IC= f (VCE)
Tvj= 150°C
IGBT
Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)
Io...C= f (VGE) E = f (RG)
V.CE= 20 V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
V.GE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600V VGE= ±15V, RGoff.= 1,8Ω, Tvj= 150°C
Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente tensione Carica di ingresso (tipica)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 600V
IGBT
IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Perdite di commutazione Diodo (tipico)Perdite di diodo (tipico)
Eric= f (RG) Eric= f (IF)
Io...F= 300A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza
Zth(j-c) = f (t)
Un modulo a mezzo ponte IGBT è un dispositivo elettronico di potenza che combina due transistor bipolari a cancello isolato (IGBT) disposti in una configurazione a mezzo ponte.Questa configurazione è comunemente utilizzata in varie applicazioni in cui è necessario un controllo bidirezionale della potenzaEcco alcuni punti chiave sui moduli a mezzo ponte IGBT:
1. IGBT: IGBT sono dispositivi semiconduttori che combinano le caratteristiche sia dei transistor a effetto campo a cancello isolato (IGFET) che dei transistor a giunzione bipolare (BJT).Sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza per l'intercettazione e il controllo dell'energia elettrica.
2Configurazione a mezzo ponte: la configurazione a mezzo ponte consiste in due IGBT collegati in serie, formando un circuito a ponte.Un IGBT è responsabile della conduzione durante il semicit positivo della forma d'onda di ingressoQuesta disposizione consente un controllo bidirezionale della corrente.
3. Valutazioni di tensione e corrente: i moduli a mezzo ponte IGBT sono specificati con valutazioni di tensione e corrente.indicando la tensione e la corrente massime che il modulo può gestire.
4. Applicazioni: i moduli IGBT a mezzo ponte trovano applicazioni in azionamenti motori, inverter, alimentatori e altri sistemi che richiedono una commutazione di potenza controllata.Sono adatti ad applicazioni in cui è necessario un controllo della velocità variabile o un'inversione di potenza.
5. raffreddamento e gestione termica: come per i singoli IGBT, i moduli a mezzo ponte IGBT generano calore durante il funzionamento.sono fondamentali per mantenere le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.
6. Circuiti di azionamento del cancello: un circuito di azionamento del cancello appropriato è essenziale per controllare efficacemente la commutazione degli IGBT.Questo include garantire che i segnali di porta siano opportunamente sincronizzati e abbiano livelli di tensione sufficienti.
7. foglio dati: gli utenti devono consultare il foglio dati del fabbricante per le specifiche dettagliate, le caratteristiche elettriche,e linee guida specifiche per l'applicazione del modulo a mezzo ponte IGBT utilizzato.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida
Dimensioni in mm
mm
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