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IGBT discreto

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Moduli IGBT personalizzati 62 mm Basse perdite di commutazione DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

Name: Moduli IGBT personalizzati 62 mm Basse perdite di commutazione DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0
Brand: Moduli IGBT personalizzati 62 mm Basse perdite di commutazione DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0
SKU: SPS200B17G6R8
Rating: 4.9 (164 reviews)

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Numero di modello: SPS200B17G6R8

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Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:	2.5V	Corrente:	100A
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:	±100nA	tensione della soglia dell'Portone-emettitore:	5V
Tensione di isolamento:	2500Vrms	Corrente di collettore massima:	200A
Dissipazione massima della potenza del collettore:	500 W	Tensione massima dell'Collettore-emettitore:	1200 V
Temperatura di funzionamento:	-40°C a +150°C	Tipo di pacchetto:	62 mm
frequenza di commutazione:	20KHZ	Intervallo di temperatura:	-40°C a +150°C
Resistenza termica:	0.1°C/W	Voltaggio:	600 V

Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:	2.5V
Corrente:	100A
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:	±100nA
tensione della soglia dell'Portone-emettitore:	5V
Tensione di isolamento:	2500Vrms
Corrente di collettore massima:	200A
Dissipazione massima della potenza del collettore:	500 W
Tensione massima dell'Collettore-emettitore:	1200 V
Temperatura di funzionamento:	-40°C a +150°C
Tipo di pacchetto:	62 mm
frequenza di commutazione:	20KHZ
Intervallo di temperatura:	-40°C a +150°C
Resistenza termica:	0.1°C/W
Voltaggio:	600 V

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Solid Power-DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

1700V 200A IGBT La metà. Ponte Modulo

Moduli IGBT personalizzati 62 mm Basse perdite di commutazione DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0 0

Caratteristiche:

D Tecnologia 1700V Trench+ Field Stop

□ Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido

□ V_{CE (sat)}con coefficiente di temperatura positivo

□ Basse perdite di cambio

Tipico Applicazioni:

□ Motori/servo-azionamenti

□ Convertitori ad alta potenza

□ UPS

□ fotovoltaica

Pacco

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Tensione di prova di isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiale della piastra base del modulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento di base (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distanza di trascinamento	- Creep.	terminale al dissipatore di calore		29.0			mm
	- Creep.	terminale a terminale		23.0
Autorizzazione	dClear	terminale al dissipatore di calore		23.0			mm
	dClear	terminale a terminale		11.0
Indice di tracciamento comparato	CTI			> 400

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Modulo di induttanza errante	LsCE				20		nH
Resistenza al piombo del modulo, terminali - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Temperatura di conservazione	Tstg			- Quaranta.		125	°C
Torsione di montaggio per il montaggio del modulo	M6			3.0		6.0	Nm
Torque di connessione terminale	M6			2.5		5.0	Nm
Peso	G				320		g

IGBT

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio del collettore-emettitore	VCES		T_vj= 25°C	1700	V.
Voltaggio massimo dell'emettitore della porta	VGES			± 20	V.
Tensione transitorio del portale-emettitore	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V.
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 25°C	360	A
Corrente continua del collettore CC	Io..._C		T_C= 100°C	200	A
Corrente del collettore pulsato,tp limitata da T_jmax	ICpulse			400	A
Dissipazione di potenza	Ptot			1070	W

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
Articolo	Il simbolo	Condizioni		Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.	Unità
Tensione di saturazione collettore-emettitore	VCE (sat)	Io..._C= 200A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V.
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Tensione di soglia di ingresso	VGE (th)	V._CE=V_GEIo..._C= 8mA		5.0	5.8	6.5	V.
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente di taglio tra collettore ed emittente	ICES	V._CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente di perdita del gate-emitter	IGES	V._CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollari.		200	nA
Carico della porta	Q._G	V._CE= 900V, I_C= 200A, V_GE=±15V			1.2		μC
Capacità di ingresso	- Cies	V._CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			18.0		nF
Capacità di uscita	Coes				1.06
Capacità di trasferimento inverso	Cres				0.28
Resistenza interna alla porta	RGint	T_vj= 25°C			4.5		Ω
Tempo di ritardo di accensione, carico induttivo	Td (connesso)	V._CC= 900V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		188		ns
			T_vj= 125°C		228		ns
			T_vj= 150°C		232		ns
Tempo di risalita, carico induttivo	t_r		T_vj= 25°C		56		ns
			T_vj= 125°C		68		ns
			T_vj= 150°C		72		ns
Tempo di ritardo di spegnimento, carico induttivo	sd (spento)	V._CC= 900V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		200		ns
			T_vj= 125°C		600		ns
			T_vj= 150°C		620		ns
Tempo di caduta, carico induttivo	t_f		T_vj= 25°C		470		ns
			T_vj= 125°C		710		ns
			T_vj= 150°C		745		ns
Perdita di energia di accensione per impulso	Eon	V._CC= 900V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		33.2		mJ
			T_vj= 125°C		52.2		mJ
			T_vj= 150°C		59.9		mJ
Disattivare Perdite di energia per impulso	Eof		T_vj= 25°C		49.1		mJ
			T_vj= 125°C		67.3		mJ
			T_vj= 150°C		70.5		mJ
Dati SC	CSI	V._GE≤ 15V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			720	A
Resistenza termica IGBT, cassa di giunzione	RthJC					0.14	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		175	°C

Diodo

Massimo Classificato Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori	Unità
Voltaggio inverso ripetitivo	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V.
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F		T_C= 25°C	280	A
Corrente continua di corrente continua in avanti	Io..._F		T_C= 100°C	200
Corrente pulsata di diodo,tp limitata da T_Jmax	IFpulse			400

Caratteristica Valori

Articolo	Il simbolo	Condizioni		Valori			Unità
				Un minuto.	Tipo.	- Max, ti prego.
Voltaggio in avanti	V._F	Io..._F= 200A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V.
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Tempo di recupero inverso	trr	Io..._F=200A DI_F/dt=-3500A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900V, V._GE=-15V	T_vj= 25°C		140		ns
			T_vj= 125°C		220
			T_vj= 150°C		275
Corrente di recupero inversa massima	IRRM		T_vj= 25°C		307		A
			T_vj= 125°C		317
			T_vj= 150°C		319
Tariffa di recupero inverso	QRR		T_vj= 25°C		45		μC
			T_vj= 125°C		77
			T_vj= 150°C		89
Perdite di energia di recupero inverso per impulso	Erec		T_vj= 25°C		20.4		mJ
			T_vj= 125°C		39.6
			T_vj= 150°C		45.2
Resistenza termica al diodo, cassa di giunzione	RthJCD					0.20	K/W
Temperatura di funzionamento	TJop			- Quaranta.		175	°C

Prodotto caratteristica (tipica) Output caratteristica (tipico)

Io..._C= f (V_CE) I_C= f (V_CE)

T_vj= 150°C

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IGBT

Trasferimento caratteristica (tipico) Cambiamento perdite IGBT(tipico)

Io..._C= f (V_GE) E = f (R_G)

V._CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 900V

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IGBT RBSOA

Sostituzione perdite IGBT(tipico) Invertire pregiudizio sicurezza funzionamento Area ((RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V._GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 900V V_GE= ±15V, R_Goff.= 3,3Ω, T_vj= 150°C

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Tipico capacità come a) funzione di collettore-emittente tensione Carica di ingresso (tipica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 200A, V_CE= 900V

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IGBT

IGBT transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza In avanti caratteristica di Diodo (tipico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

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Perdite di commutazione Diodo (tipico)Perdite di diodo (tipico)

E_ric= f (R_G) E_ric= f (I_F)

Io..._F= 200A, V_CE= 900V R_G= 3,3Ω, V_CE= 900V

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Diodo transitorio termico impedenza come a) funzione di polso larghezza

Zth(j-c) = f (t)

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Il modulo IGBT Half Bridge 1700V 200A integra due IGBT in una configurazione half-bridge.con una tensione di 1000 V o superiore ma non superiore a 1000 VUn raffreddamento efficace è fondamentale per un funzionamento affidabile, e le specifiche dettagliate possono essere trovate nella scheda dati del produttore.

Circuito Diagramma Titolo

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Pacco linee guida

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