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200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Dettagli del prodotto

Numero di modello: SPS200B12G6H4

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200A IGBT Half Bridge Module

,

Modulo a mezzo ponte 200A

,

Modulo a mezzo ponte IGBT da 62 mm

Corrente di collettore:
100A
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2.5V
tensione dell'Collettore-emettitore:
±1200V
Classificazione attuale:
100A
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
± 10 μA
tensione della soglia dell'Portone-emettitore:
5V
tensione dell'Portone-emettitore:
± 20V
Temperatura massima di funzionamento:
150°C
Tipo del modulo:
IGBT
Tipo di pacchetto:
62 mm
Il cortocircuito resiste al tempo:
10 μs
frequenza di commutazione:
20KHZ
Resistenza termica:
0.1°C/W
Valore nominale della tensione:
1200 V
Corrente di collettore:
100A
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2.5V
tensione dell'Collettore-emettitore:
±1200V
Classificazione attuale:
100A
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
± 10 μA
tensione della soglia dell'Portone-emettitore:
5V
tensione dell'Portone-emettitore:
± 20V
Temperatura massima di funzionamento:
150°C
Tipo del modulo:
IGBT
Tipo di pacchetto:
62 mm
Il cortocircuito resiste al tempo:
10 μs
frequenza di commutazione:
20KHZ
Resistenza termica:
0.1°C/W
Valore nominale della tensione:
1200 V
200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

L'indice di potenza solida-DS-SPS200B12G6H4-S04020005


1200 V 200A IGBT La metà. Ponte Modulo

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Caratteristiche:

  • Tecnologia di arresto di campo planare 1200V
  • Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
  • Basse perdite di passaggio
  • Capacità elevata di RBSOA

 

Tipico Applicazioni:

  • Riscaldamento induttivo
  • Saldatura
  • Applicazione di commutazione ad alta frequenza

 

IGBT, Invertitore / IGBTInvertitore

 

Massimo Valori nominali/ massimo valore limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Collettore-emittentetensione

 

V.CES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C

 

TC = 100°C, Tvj massimo= 175°C

TC = 25°C, Tvj massimo= 175°C

 

200

 

280

 

A

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

400

 

A

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

Pdi

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

1070

 

W

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

V.GES

 

 

±20

 

V.

 

 

 

Valori caratteristici/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati collettore-emettitorea tensione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C= 200A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V.

V.

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

 

V.GE ((th)

 

Io...C=8mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V.

 

极电荷

Porta carico

 

Q.G

 

 

V.GE=-15V... +15V

 

0.8

 

μC

 

内部 极电阻

Porta interna resistenza

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

 

2.5

 

Ω

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

CI.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

8.76

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

0.40

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente limite cdi locazione

 

 

Io...CES

 

V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

5.00

 

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

Io...GES

 

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

200

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

td( su)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

65

75

 

75

 

ns

ns

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

45

55

 

55

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

td(Smettila.)

 

Io...C= 200A, VCE= 600V

V.GE=±15V

RGon= 3,3 Ω

RGoff.= 3,3 Ω

 

Induttivo Loannuncio

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

205

230

 

235

 

ns

ns

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

Esu

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

 

ESmettila.

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

mJ

mJ

mJ

 

短路数据

SC dati

 

Io...SC

 

V.GE≤ 15V, VCC= 800V

V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

800

 

A

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per IGBT / Ogni volta. IGBT

 

0.14

 

K/W

 

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

- Quaranta.

 

150

 

 

°C

 

 

Diodo, inverter/ II. tubo inverso

Massimo Valori nominali/ valore massimo

 

Articolo

 

Simbolo Ccondizioni

 

Valore

 

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM Tvj= 25°C

 

1200

 

 

 

V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

Io...F

 

200

 

 

A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

 

Io...Fondi propri tp= 1 ms

 

400

 

 

A

 

 

 

Valori caratteristici/ 特征值

 

Articolo

 

Il simboloCondizioni

 

Un minuto. Tipo.

 

- Max, ti prego.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

V.F Io...F=200A

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V.

V.

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

Io...RM

 

 

Q.r

 

 

 

Eric

 

 

Io...F=200A

-di/dt=3200A/μs V.R = 600 V

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

A

A

A

 

carico di recupero inverso

Tariffa di recupero

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC Per diodo / Ogni个二极管

 

 

 

0.23

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

- Quaranta.

 

150

 

°C

 

 

 

 

Modulo/ 模块

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

绝缘 test tensione elettrica

Isolamentotensione di prova

 

V.ISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piattaforma di base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)

Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Dispersione- Non lo so.

 

 

端子-散热片/ terminale to scaldabagno

端子-端子/ terminale a terminato

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorizzazione

 

 

端子-散热片/ terminale to scaldabagno

端子-端子/ terminale a terminato

 

23.0

11.0

 

mm

 

Indice di traccia elettrica

ComparativTracciamento indice

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto.

 

Tipo.

 

- Max, ti prego.

 

Unità

 

杂散电感,模块

Stray Induttanza modulo

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca

 

RCC??+EE

RAA+CC??

   

 

0.7

 

 

 

temperatura di stoccaggio

 

Temperatura di stoccaggioperatura

 

Tstg

 

 

 

- Quaranta.

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsione di montaggioche per modulo montaggio

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接 torsion distanza

Connessione terminalen coppia

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica) Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica)

Io...C=f (V)CE) IC=f(VCE)

V.GE=15V              Tvj=150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Caratteristica di trasferimento IGBT, Inverter (tipica) Caratteristica di trasferimento IGBT, Inverter (tipica)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Impedanza termica transitorio IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=± 15V, IC=200A, VCE=600V

 

  200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Area di funzionamento di sicurezza per il bias inverso IGBT, Inverter (RBSOA) Caratteristica del diodo, dell'inverter (tipica)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico) Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3,3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

FRD di impedenza termica transitoria, inverter

ZthJC=f (t)

 

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

Il modulo "IGBT Half Bridge Module 1200V 200A" integra due IGBT in una configurazione a mezzo ponte per applicazioni che richiedono il controllo dei livelli di tensione e corrente da moderati ad elevati.Un raffreddamento efficace è fondamentale, e le specifiche dettagliate sono riportate nella scheda tecnica del fabbricante.

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Circuito Diagramma Titolo 

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Pacco linee guida

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10