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Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

Dettagli del prodotto

Numero di modello: SPS450B12G6H4

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Moduli IGBT ad alta potenza 62 mm

,

Moduli IGBT 450A

,

Modulo IGBT ad alta potenza da 62 mm

Corrente di collettore:
100A
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1.8V
tensione dell'Collettore-emettitore:
±1200V
Corrente:
100A
Tassa del portone:
150 nC
tensione della soglia dell'Portone-emettitore:
4V
tensione dell'Portone-emettitore:
± 20V
Capacità introdotta:
1.5nF
Capacità di uscita:
0.5nF
Potenza:
1500 W
Tempo di recupero inverso:
100ns
frequenza di commutazione:
20KHZ
Resistenza termica:
0.1°C/W
Voltaggio:
1200 V
Corrente di collettore:
100A
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1.8V
tensione dell'Collettore-emettitore:
±1200V
Corrente:
100A
Tassa del portone:
150 nC
tensione della soglia dell'Portone-emettitore:
4V
tensione dell'Portone-emettitore:
± 20V
Capacità introdotta:
1.5nF
Capacità di uscita:
0.5nF
Potenza:
1500 W
Tempo di recupero inverso:
100ns
frequenza di commutazione:
20KHZ
Resistenza termica:
0.1°C/W
Voltaggio:
1200 V
Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

Solid Power-DS-SPS450B12G6H4-S04020010 V2.0

1200 V 450A IGBT La metà. Ponte Modulo

Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 0

 

Caratteristiche:

  • Tecnologia di arresto di campo planare 1200V
  • Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
  • Basse perdite di passaggio
  • Capacità elevata di RBSOA

 

Tipico Applicazioni:

  • Riscaldamento induttivo
  • Saldatura
  • Applicazione di commutazione ad alta frequenza

Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 1

 

IGBT, Invertitore / IGBTInvertitore

 

Massimo Valori nominali/ massimo limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

集电极-发射电极 pressione

Collettore-emittentetensione

 

V.CES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V.

 

连续集电极直流电流

Continuo DC collacorrente ctor

 

Io...C

 

TC = 80°C, Tvj massimo= 175°C

TC = 25°C, Tvj massimo= 175°C

 

450

 

550

 

 

A

 

集电极重复峰值电流

Picco ripetidi cui corrente del collettore

 

Io...CRM

 

tp= 1 ms

 

900

 

A

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dissolvereLa Commissione

 

 

Pdi

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

 

2142

 

 

W

 

极- lancio 极峰值 tensione elettrica

Portata massimatensione dell'emittente elettrico

 

 

V.GES

 

 

±20

 

V.

 

massima temperatura

Connessione massiman temperatura

 

TVj,max

 

 

175

 

°C

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo Max..

 

Unità

 

集电极-发射极?? 和电压

Saturati collettore-emettitorea tensione

 

V.CE(seduto)

 

Io...C= 450 A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.10

 

2.50

2.90

3.00

 

3.00

 

V.

 

Pressione elettrica di valore 极

Limita di accessotensione

 

V.GE ((th)

 

Io...C= 18mA, VCE=V.GE,Tvj= 25°C

 

5.0 6.07.0

 

V.

 

极电荷

Porta carico

 

 

Q.G

 

 

V.GE=-15V...+15V, Tvj= 25°C

 

3.3

 

uC

 

内部 极电阻

Porta interna resistenza

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

1.7

 

Ω

 

Capacità di ingresso

Limitazione dell'inputacitance

 

 

CI.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

19.2

 

nF

 

Capacità di trasmissione inversa

Trasferimento inversoCapacità di sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

0.93

 

nF

 

集电极-发射极截止电流

Collettore-emittente limite cdi locazione

 

Io...CES

 

V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

 

5.00

 

mA

 

- Sì, sì.-发射极漏电流

Emittente di porta perdite corrente

 

Io...GES

 

V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

td( su)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

95

105

 

110

 

ns

ns

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

70

80

 

80

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

Sgombero dtempo di elay, induttivo carico

 

 

td(Smettila.)

 

Io...C= 450A, VCE= 600V

V.GE=±15V

RGon= 1Ω

RGoff.= 1Ω

 

Induttivo Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C

 

Tvj= 150°C

 

325

375

 

390

 

ns

ns

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

 

tf

 

60

60

 

60

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per puLise.

 

Esu

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

22.2

39.6

42.9

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

ESmettila.

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

22.4

29.5

31.0

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC

 

Per IGBT / Ogni volta. IGBT

 

0.07

 

K/W

 

 

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

- Quaranta.

 

150

 

°C

 

Diodo, inverter/ II. tubo inverso

Massimo Valori nominali/ massimo定值

 

Articolo

 

Il simboloCondizioni

 

Valore

 

 

Unità

 

tensione elettrica di picco inverso e ricorrente

Picco ripetitivo tensione inversae

 

V.RRM Tvj= 25°C

 

1200

 

 

V.

 

continua corrente elettrica diretta

Continuo DC percorrente del reparto

 

Io...F

 

450

 

 

A

 

Strumenza di picco di ripetizione

Picco corrente in avanti ripetitiva

 

Io...Fondi propri tp= 1 ms

 

900

 

 

A

 

CarattereValori/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo Condizioni

 

Un minuto. Tipo.

 

- Max, ti prego.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

V.F Io...F=450A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.30

2.50 2.50

 

2.70

 

V.

 

Corrente elettrica verso il picco di ripristino

 

Picco inverso recupero cdi locazione

 

Io...rm

 

 

Q.rr

 

 

 

Eric

 

 

Io...F=450A

- DiF/dtSmettila.=5300A/μs V.R = 600 V.

 

V.GE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

270

285

 

295

 

 

A

 

carico di recupero inverso

Ritorno recupero cArge

 

29.6

64.1 74.3

 

 

μC

 

Distorsione di carico (per ogni impulso)

Ritorno recupero energia (per pulso)

 

11.4

22.0 25.7

 

 

mJ

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RilJC Per diodo / Ogni个二极管

 

0.16

 

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta.

 

 

150

 

 

°C

 

 

 

Modulo/

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

s

 

绝缘 test tensione elettrica

Isolamentotensione di prova

 

V.ISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

 

3.0

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piattaforma di base

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)

Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Cree distanza della pagina

 

 

端子-散热片/ terminale a hmangia il lavandino

端子-端子/ terminale a terminato

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorizzazione

 

 

端子-散热片/ terminale a hmangia il lavandino

端子-端子/ terminale a terminato

 

23.0

11.0

 

 

mm

 

Indice di traccia elettrica

Tracciamento comparato indice

 

CTI

 

 

> 400

 

 

 

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto.

 

Tipo.

 

- Max, ti prego.

 

Unità

 

杂散电感,模块

Stray Induttanza modulo

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca

 

RCC??+EE

RAA+CC

   

 

 

0.70

 

 

 

 

temperatura di stoccaggio

 

Temperatura di stoccaggioperatura

 

Tstg

 

 

- Quaranta.

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsione di montaggioche per modulo montaggio

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

模块安装的安装扭距

Torsione di montaggioche per modulo montaggio

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

320

 

 

g

 
IGBT IGBT
Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica) Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
 
Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 2
 
 
IGBT IGBT
Caratteristica di trasferimento IGBT, Inverter (tipica) Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipica)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
VCE=20V VGE=±15V, RG=1Ω, VCE=600V
 
  Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 3

 

IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Impedanza termica transitoria IGBT, Inverter
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=± 15V, IC=450A, VCE=600V

 

  Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 4

Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 5

IGBT, RBSOA
Area di funzionamento di sicurezza per il bias inverso IGBT, Inverter (RBSOA) Caratteristica di diodo, inverter (tipica)
IC=f (VCE) IF=f (VF)
VGE=±15V, RGoff=10Ω, Tvj=150°C
 
 Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 6Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 7

 

Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico) Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico)
Erec=f (IF) Erec=f (RG)
RG=3,3 Ω, VCE=600V IF=450A, VCE=600V

Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 8
    Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 9
 
 
Diodo di impedenza termica transitorio, inverter
ZthJC=f (t)
Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 10                     
 
Il modulo half bridge IGBT 1200V 450A è un modulo di alimentazione con due transistor bipolari a cancello isolato (IGBT) in una configurazione half bridge.È progettato per applicazioni ad alta potenza come motori industriali o inverter.Un raffreddamento efficace è fondamentale per una prestazione affidabile e le specifiche dettagliate sono disponibili nella scheda tecnica del costruttore.

 

Circuito Diagramma Titolo 
 
 
Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 11
 
 
 
 
 

Pacco linee guida

 

 

Moduli IGBT ad alta potenza 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010 12