1200V 300A SiC MOSFET Mezzo modulo di ponte Semiconduttore DS-SPS300MB12G6S-S04310004
L'indice di potenza solida-DS-SPS300MB12G6S-S04310004
1200 V 300A SiC MOSFET La metà. Ponte Modulo
Caratteristiche:
- Applicazione di commutazione ad alta frequenza
- corrente di recupero inversa zero dal diodo
- Corrente di coda a spegnimento zero da MOSFET
- Perdite ultra basse
- Facilità di parallelo
Tipico Applicazioni:
- Riscaldamento per induzione
- Invertitori solari ed eolici
- Convertitori di corrente continua
- Caricabatterie
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MOSFET
Massimo Valori nominali/ massimo limite值
|
|
Articolo
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Il simbolo
|
Condizioni
|
Valore
|
Unità
|
|
漏极-源极 tensione elettrica
Tensione della fonte di scarico
|
V.DSS
|
Tvj= 25°C
|
1200
|
V.
|
|
continua perdita di corrente elettrica
Continuas DC corrente di scarico
|
Io...D
|
V.GS=20V, TC= 25°C, Tvjmax= 175°C
V.GS=20V, TC= 85°C, Tvjmax= 175°C
|
400
300
|
A
|
|
脉冲漏极 电流
Drenaggio pulsato corrente
|
Io...D polso
|
Larghezza dell'impulso tplimitato daTvjmax
|
1200
|
A
|
|
totale perdita di potenza
Totale potenza dissolvereLa Commissione
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Pdi
|
TC= 25°C,Tvjmax= 175°C
|
1153
|
W
|
|
Pressione elettrica di punta
Porta massima- tensione della sorgente
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V.GSS
|
|
-10/25
|
V.
|
|
CarattereValori/ 特征值
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.
|
Unità
|
|
漏极-源极通态 resistenza elettrica
Fonte di scarico accesa resistenza
|
RD.S.( su)
|
Io...D= 300A,VGS=20V
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
4.0
5.4 6.0
|
5.6
|
mΩ
mΩ
mΩ
|
|
Pressione elettrica di valore 极
Limita di accessotensione
|
V.GS (th)
|
Io...C= 90mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C
Io...C= 90mA, VCE=VGE, Tvj= 150°C
|
1.9
|
2.4
1.6
|
4.0
|
V.
|
|
跨导
Transconduttanza
|
gfs
|
V.D.S. = 20 V, Io...D.S. = 300 A, Tvj= 25°C
V.D.S. = 20 V, Io...D.S. = 300 A, Tvj= 150°C
|
211
186
|
S
|
|
极电荷
Porta carico
|
Q.G
|
V.GE=-5V... +20V
|
1170
|
nC
|
|
内部 极电阻
Porta interna resistenza
|
RGint
|
Tvj= 25°C
|
2.0
|
Ω
|
|
Capacità di ingresso
Limitazione dell'inputacitance
|
CI.
|
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V
|
25.2
|
nF
|
|
Capacità di uscita
Prodotto capacità
|
CC' è
|
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V
|
1500
|
pF
|
|
Capacità di trasmissione inversa
Trasferimento inversoCapacità di sfera
|
Cres
|
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V
|
96
|
pF
|
|
零 电压 漏极电流
Porta zero vetà scarico corrente
|
Io...DSS
|
V.D.S.=1200V, VGS=0V, Tvj= 25°C
|
300
|
μA
|
|
- Sì, sì.-源极 漏电流
Sorgente della porta Lecorrente di akage
|
Io...GSS
|
V.D.S.=0V, V.GS=20V, Tvj= 25°C
|
100
|
nA
|
|
开通延延时间( elettricità carico)
Accensione tempo di ritardo, induttivo carico
|
td( su)
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
76
66
66
|
ns
ns
ns
|
|
上升时间( elettricità carico)
E' ora di alzarsi. induttivo carico
|
tr
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
62
56
56
|
ns
ns
ns
|
|
关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)
Sgombero dtempo di elay, induttivo carico
|
td(Smettila.)
|
Io...D= 300A, VD.S.= 600V
V.GS=-5/20V
RGon= 2,5Ω
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
308
342
342
|
ns
ns
ns
|
|
Il tempo scende( elettricità carico)
In autunno, induttivo carico
|
tf
|
RGoff.= 2,5Ω
Lσ = 56 nH
Induttivo Load,
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
94
92
92
|
ns
ns
ns
|
|
开通损耗能量(Ogni impulso)
Accensione energia perdita per puLise.
|
Esu
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
5.55
4.35
4.35
|
mJ
mJ
|
|
关断损耗能量(Ogni impulso)
Energia di spegnimento perdita per polso
|
ESmettila.
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
12.10
12.35
12.35
|
mJ
mJ
|
|
结-外 热阻
Termica resistenza,azione a caso
|
RilJC
|
Per MOSFET / Ogni volta. MOSFET
|
0.12
|
K/W
|
|
temperatura di lavoro
Temperatura eil passaggio Condizioni
|
Tvjop
|
|
- Quaranta.150
|
°C
|
|
Diodo/二极管
Massimo Valori nominali/ massimo定值
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Valore
|
Unità
|
|
continua corrente elettrica diretta
diodo continuo perripartizione corrente
|
Io...F
|
V.GS = -5 V, TC = 25 ̊C
|
400
|
A
|
|
CarattereValori/ 特征值
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.
|
Unità
|
|
tensione elettrica in direzione
Voltaggio in avanti
|
V.Sd
|
Io...F= 300A, VGS=0V
|
Tvj= 25°C Tvj= 150°C
|
1.60
2.00
|
1.80
|
V.
V.
|
|
结-外 热阻
Termica resistenza,azione a caso
|
RilJC
|
Per diodo/ Ogni diodo
|
0.13
|
K/W
|
|
temperatura di lavoro
Temperatura eil passaggio Condizioni
|
Tvjop
|
|
- Quaranta. 150
|
°C
|
|
Modulo/ 模块
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Valore
|
Unità
|
|
绝缘 test tensione elettrica
Isolamentotensione di prova
|
V.ISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
2.5
|
kV
|
|
模块基板材料
Materiale di modulo piattaforma di base
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘
Interno isolamento
|
|
基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)
Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)
|
Al2O3
|
|
|
爬电距离
Dispersione- Non lo so.
|
|
端子-散热片/ terminale to scaldabagno
端子-端子/ terminale a terminato
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Autorizzazione
|
|
端子-散热片/ terminale to scaldabagno
端子-端子/ terminale a terminato
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Indice di traccia elettrica
Tracciamento comparato indice
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Un minuto.
|
Tipo.
|
- Max, ti prego.
|
Unità
|
|
杂散电感,模块
Stray Induttanza modulo
|
LSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
resistenza elettrica del filo conduttore modulo,端子- chip
Modulo piombo resistenza, terminali - cippa
|
RCC+EE
|
TC= 25°C
|
|
0.465
|
|
mΩ
|
|
temperatura di stoccaggio
Temperatura di stoccaggioperatura
|
Tstg
|
|
- Quaranta.
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭矩
Torsione di montaggioche per modulo montaggio
|
M5
|
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
端子联接 torsione
Connessione terminalen coppia
|
M6
|
|
3.00
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Peso
Peso
|
G
|
|
|
300
|
|
g
|
MOSFET MOSFET
Caratteristica di uscita MOSFET (tipica) Caratteristica di uscita MOSFET (tipica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Fonte di drenaggio normalizzata sulla resistenza (tipica) Fonte di drenaggio normalizzata sulla resistenza (tipica)
R & SFiglio.(P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(ID.S.)
Io...D.S.= 120 A VGS=20VVGS=20V
Fonte di scarico sulla resistenza (tipico) Voltaggio di soglia (tipico)
R & SFiglio.=f(Tvj) VDS (th)=f(Tvj)
Io...D.S.= 120 A VD.S.=VGSIo...D.S.= 30mA
MOSFET
Caratteristica di trasferimento MOSFET (tipica) Caratteristica di trasferimento del diodo (tipica)
Io...D.S.=f(VGS)Io...D.S.=f(VD.S.)
V.D.S.=20V Tvj= 25°C
Caratteristica del diodo (tipica) di 3rdQuadrante (tipico)
Io...D.S.=f(VD.S.) ID.S.=f(VD.S.)
Tvj=150°C Tvj= 25°C
MOSFET
caratteristica di 3rdQuadrante (tipico) caratteristica di carica del cancello MOSFET (tipico)
Io...D.S.=f(VD.S.) VGS=f ((QG)
Tvj= 150°C VD.S.= 800V, ID.S.= 120A, Tvj= 25°C
MOSFET MOSFET
Caratteristica di capacità MOSFET (tipico) Perdite di commutazione MOSFET (tipico)
C=f(VD.S.) E=f(IC)
V.GS=0V, Tvj= 25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG= 2,5 Ω, VCE= 600V
MOSFET MOSFET
Perdite di commutazione MOSFET (tipica) Impedenza termica transitoria MOSFET
E=f (RG) ZilJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Diodo di impedenza termica transitoria
ZthJC=f (t)
Il modulo half-bridge "1200V 300A SiC MOSFET" integra due transistor a effetto campo a carburo di silicio-ossido metallico-semiconduttore (SiC MOSFET) in una configurazione half-bridge.Disegnati per applicazioni ad alta potenza, fornisce un controllo preciso della tensione (1200V) e della corrente (300A), con vantaggi quali un miglioramento dell'efficienza e delle prestazioni in ambienti industriali.Per un funzionamento affidabile è fondamentale un raffreddamento efficace, e le specifiche dettagliate sono riportate nella scheda tecnica del fabbricante.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida
mm
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