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Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Dettagli del prodotto

Numero di modello: SPS120MB12G6S

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Sic MOSFET Modulo di alimentazione 1200V

,

120A Sic MOSFET Power Module

,

Modulo MOSFET Sic 120A

Configurazione:
Non sposato
Corrente - collettore (CI) (massimo):
200A
Corrente - collettore pulsato (Icm):
400A
Tipo del modulo:
IGBT
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
Modulo
Tipo di pacchetto:
62 mm
Potenza - Max:
600 W
Confezione del dispositivo del fornitore:
62 mm
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.5V @ 15V, 100A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Configurazione:
Non sposato
Corrente - collettore (CI) (massimo):
200A
Corrente - collettore pulsato (Icm):
400A
Tipo del modulo:
IGBT
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
Modulo
Tipo di pacchetto:
62 mm
Potenza - Max:
600 W
Confezione del dispositivo del fornitore:
62 mm
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI:
2.5V @ 15V, 100A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima):
1200 V
Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

L'indice di potenza solida-DS-SPS120MB12G6S-S04310003

 

1200 V 120A SiC MOSFET La metà. Ponte Modulo

 

     Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

Caratteristiche:

  • Applicazione di commutazione ad alta frequenza
  • corrente di recupero inversa zero dal diodo
  • Corrente di coda a spegnimento zero da MOSFET
  • Perdite ultra basse
  • Facilità di parallelo

Tipico Applicazioni:

  • Riscaldamento per induzione
  • Invertitori solari ed eolici
  • Convertitori di corrente continua
  • CaricabatterieModulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

Massimo Valori nominali/ massimo valore limite

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

漏极-源极 tensione elettrica

Tensione della fonte di scarico

 

VDSS

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V.

 

continua perdita di corrente elettrica

Continuo DC corrente di scarico

 

Identificazione

 

VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C

 

180

 

120

 

 

A

 

脉冲漏极 电流

Drenaggio pulsato corrente

 

Identificazione polso

 

Larghezza dell'impulso tplimitato daTvjmax

 

480

 

A

 

totale perdita di potenza

Totale potenza dispersione

 

Ptot

 

TC= 25°C,Tvjmax=175°C

 

576

 

W

 

Pressione elettrica di punta

Tensione massima della sorgente di porta

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V.

 

Valori caratteristici/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

漏极-源极通态 resistenza elettrica

Fonte di scarico accesa resistenza

 

 

RDS( su)

 

Identificazione= 120A,VGS=20V

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

Pressione elettrica di valore 极

Tensione di soglia di ingresso

 

 

VGS (th)

 

IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V.

 

跨导

 

Transconduttanza

 

gfs

 

VDS = 20 V, Io...D.S. = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, Io...D.S. = 120 A, Tvj=150°C

 

68.9

61.8

 

S

 

极电荷

Porta carico

 

Quartier generale

 

VGE=-5V...+20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻

Porta interna resistenza

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

2.2

 

 

Ω

 

Capacità di ingresso

Capacità di ingresso

 

- Cies

 

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V

 

 

8850

 

pF

 

Capacità di uscita

Prodotto capacità

 

 

Coes

 

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V

 

 

564

 

pF

 

Capacità di trasmissione inversa

Capacità di trasferimento inversa

 

 

Cres

 

f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V

 

 

66

 

pF

 

零 电压 漏极电流

tensione di ingresso zero scarico corrente

 

IDSS

 

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

 

300

 

μA

 

- Sì, sì.-源极 漏电流

Sorgente della porta corrente di perdita

 

IGSS

 

VDS=0V, V.GS=20V, Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延延时间( elettricità carico)

Accensione tempo di ritardo, induttivo carico

 

 

Td( su)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

10

8

 

8

 

ns

ns

ns

 

上升时间( elettricità carico)

E' ora di alzarsi. induttivo carico

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

36

34

 

34

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)

tempo di ritardo di spegnimento, induttivo carico

 

 

Td(Smettila.)

 

Identificazione= 120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3,3Ω

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

128

140

 

140

 

ns

ns

ns

 

Il tempo scende( elettricità carico)

In autunno, induttivo carico

 

Tf

 

RGoff=3,3Ω

= 56 nH

 

Induttivo carico,

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

62

62

 

62

 

ns

ns

ns

 

开通损耗能量(Ogni impulso)

Accensione energia perdita per polso

 

 

Eon

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量(Ogni impulso)

Energia di spegnimento perdita per polso

 

Eof

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

mJ

mJ

 

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RthJC

 

Per MOSFET / Ogni volta. MOSFET

 

0.23

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diodo/二极管

 

Massimo Valori nominali/ valore massimo

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

continua corrente elettrica diretta

Diodo continuo in avanti corrente

 

 

Se

 

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

 

177

 

A

 

Valori caratteristici/ 特征值

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.

 

Unità

 

tensione elettrica in direzione

Voltaggio in avanti

 

 

VSD

 

 

Se= 120A, VGS=0V

 

Tvj= 25°C Tvj=150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V.

V.

 

结-外 热阻

Termica resistenza,azione a caso

 

RthJC

 

Per diodo / Ogni diodo

 

0.30

 

K/W

 

temperatura di lavoro

Temperatura eil passaggio Condizioni

 

Tvjop

 

 

- Quaranta. 150

 

°C

 

 

Modulo/ 模块

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Valore

 

Unità

 

绝缘 test tensione elettrica

Tensione di prova di isolamento

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiale di modulo piattaforma di base

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Interno isolamento

 

 

基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)

Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Distanza di trascinamento

 

 

端子-散热片/ terminale to scaldabagno

端子-端子/ terminale a terminale

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorizzazione

 

 

端子-散热片/ terminale to scaldabagno

端子-端子/ terminale a terminale

 

23.0

11.0

 

mm

 

Indice di traccia elettrica

Tracciamento comparato indice

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Articolo

 

Il simbolo

 

Condizioni

 

Un minuto.

 

Tipo.

 

- Max, ti prego.

 

Unità

 

杂散电感,模块

Stray Induttanza modulo

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

resistenza elettrica del filo conduttore modulo,端子- chip

Modulo piombo resistenza, terminali - cippa

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

temperatura di stoccaggio

 

Temperatura di conservazione

 

Tstg

 

 

- Quaranta.

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

coppia di montaggio per modulo montaggio

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 torsione

Torque di connessione terminale

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Peso

 

Peso

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

MOSFET MOSFET

Caratteristica di uscita MOSFET (tipica) Caratteristica di uscita MOSFET (tipica)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

  Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

Fonte di drenaggio normalizzata sulla resistenza (tipica) Fonte di drenaggio normalizzata sulla resistenza (tipica)

RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)

IDS=120A VGS=20V VGS=20V

 

 

    Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

Fonte di scarico sulla resistenza (tipico) Voltaggio di soglia (tipico)

RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)

IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA

 

    Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

Caratteristica di trasferimento MOSFET (tipica) Caratteristica di trasferimento del diodo (tipica)

IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)

VDS=20V Tvj=25°C

  Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

Caratteristica del diodo (tipica) di 3rdQuadrante (tipico)

IDS=f(VDS) IDS=f(VDS

Tvj=150°C Tvj=25°C

   Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

caratteristica di 3rdQuadrante (tipico) caratteristica di carica del cancello MOSFET (tipico)

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C

 

Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

Caratteristica di capacità MOSFET (tipico) Perdite di commutazione MOSFET (tipico)

C=f ((VDS) E=f ((IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3,3 Ω, VCE=600V

    Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFET MOSFET

Perdite di commutazione MOSFET (tipica) Impedanza termica transitoria MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

 

      Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

Diodo di impedenza termica transitoria

ZthJC=f (t)

 

 

 Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 12

 

 

 

Il modulo MOSFET Half Bridge 1200V 120A SiC integra due MOSFET in carburo di silicio in una configurazione a mezzo ponte.fornisce un controllo preciso della tensione (1200V) e della corrente (120A)Un raffreddamento efficace è fondamentale per un funzionamento affidabile, e le specifiche dettagliate possono essere trovate nella scheda dati del produttore.

 

Circuito Diagramma Titolo 

     Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 13


 

 

 


Pacco linee guida 

 

 

     Modulo di alimentazione Sic MOSFET 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 14