Dettagli del prodotto
Numero di modello: SPS120MB12G6S
Termini di pagamento e di spedizione
Configurazione: |
Non sposato |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
200A |
Corrente - collettore pulsato (Icm): |
400A |
Tipo del modulo: |
IGBT |
Tipo di montaggio: |
Montaggio del telaio |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 150°C |
Confezione / Cassa: |
Modulo |
Tipo di pacchetto: |
62 mm |
Potenza - Max: |
600 W |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
62 mm |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
2.5V @ 15V, 100A |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
1200 V |
Configurazione: |
Non sposato |
Corrente - collettore (CI) (massimo): |
200A |
Corrente - collettore pulsato (Icm): |
400A |
Tipo del modulo: |
IGBT |
Tipo di montaggio: |
Montaggio del telaio |
Temperatura di funzionamento: |
-40°C ~ 150°C |
Confezione / Cassa: |
Modulo |
Tipo di pacchetto: |
62 mm |
Potenza - Max: |
600 W |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
62 mm |
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: |
2.5V @ 15V, 100A |
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): |
1200 V |
L'indice di potenza solida-DS-SPS120MB12G6S-S04310003
1200 V 120A SiC MOSFET La metà. Ponte Modulo
Caratteristiche:
Tipico Applicazioni:
MOSFET
Massimo Valori nominali/ massimo valore limite |
|||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
|||
漏极-源极 tensione elettrica Tensione della fonte di scarico |
VDSS |
Tvj=25°C |
1200 |
V. |
|||
continua perdita di corrente elettrica Continuo DC corrente di scarico |
Identificazione |
VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C |
180
120 |
A |
|||
脉冲漏极 电流 Drenaggio pulsato corrente |
Identificazione polso |
Larghezza dell'impulso tplimitato daTvjmax |
480 |
A |
|||
totale perdita di potenza Totale potenza dispersione |
Ptot |
TC= 25°C,Tvjmax=175°C |
576 |
W |
|||
Pressione elettrica di punta Tensione massima della sorgente di porta |
VGSS |
-10/25 |
V. |
||||
Valori caratteristici/ 特征值 |
|||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Un minuto. Tipo. - Max, ti prego. |
Unità |
|||
漏极-源极通态 resistenza elettrica Fonte di scarico accesa resistenza |
RDS( su) |
Identificazione= 120A,VGS=20V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
Pressione elettrica di valore 极 Tensione di soglia di ingresso |
VGS (th) |
IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V. |
|
跨导
Transconduttanza |
gfs |
VDS = 20 V, Io...D.S. = 120 A, Tvj=25°C VDS = 20 V, Io...D.S. = 120 A, Tvj=150°C |
68.9 61.8 |
S |
|||
极电荷 Porta carico |
Quartier generale |
VGE=-5V...+20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 Porta interna resistenza |
RGint |
Tvj=25°C |
2.2 |
Ω |
|||
Capacità di ingresso Capacità di ingresso |
- Cies |
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V |
8850 |
pF |
|||
Capacità di uscita Prodotto capacità |
Coes |
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V |
564 |
pF |
|||
Capacità di trasmissione inversa Capacità di trasferimento inversa |
Cres |
f=1MHz,Tvj= 25°C, VD.S.=1000V, VClimatizzazione= 25mV, VGE=0V |
66 |
pF |
|||
零 电压 漏极电流 tensione di ingresso zero scarico corrente |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C |
300 |
μA |
|||
- Sì, sì.-源极 漏电流 Sorgente della porta corrente di perdita |
IGSS |
VDS=0V, V.GS=20V, Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通延延时间( elettricità carico) Accensione tempo di ritardo, induttivo carico |
Td( su) |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
10 8
8 |
ns ns ns |
|||
上升时间( elettricità carico) E' ora di alzarsi. induttivo carico |
tr |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
36 34
34 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico) tempo di ritardo di spegnimento, induttivo carico |
Td(Smettila.) |
Identificazione= 120A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon=3,3Ω |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
128 140
140 |
ns ns ns |
||
Il tempo scende( elettricità carico) In autunno, induttivo carico |
Tf |
RGoff=3,3Ω Lσ = 56 nH
Induttivo carico, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
62 62
62 |
ns ns ns |
||
开通损耗能量(Ogni impulso) Accensione energia perdita per polso |
Eon |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
2.35 2.15 2.15 |
mJ mJ |
|||
关断损耗能量(Ogni impulso) Energia di spegnimento perdita per polso |
Eof |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
1.65 1.80 1.80 |
mJ mJ |
结-外 热阻 Termica resistenza,azione a caso |
RthJC |
Per MOSFET / Ogni volta. MOSFET |
0.23 |
K/W |
||
temperatura di lavoro Temperatura eil passaggio Condizioni |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
|||
Diodo/二极管
Massimo Valori nominali/ valore massimo |
||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
||
continua corrente elettrica diretta Diodo continuo in avanti corrente |
Se |
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C |
177 |
A |
||
Valori caratteristici/ 特征值 |
||||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Un minuto. Tipo. - Max, ti prego. |
Unità |
||
tensione elettrica in direzione Voltaggio in avanti |
VSD |
Se= 120A, VGS=0V |
Tvj= 25°C Tvj=150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V. V. |
结-外 热阻 Termica resistenza,azione a caso |
RthJC |
Per diodo / Ogni diodo |
0.30 |
K/W |
||
temperatura di lavoro Temperatura eil passaggio Condizioni |
Tvjop |
- Quaranta. 150 |
°C |
Modulo/ 模块 |
||||
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Valore |
Unità |
绝缘 test tensione elettrica Tensione di prova di isolamento |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
kV |
模块基板材料 Materiale di modulo piattaforma di base |
Cu |
|||
内部绝缘 Interno isolamento |
基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140) Di base isolamento (classe 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Distanza di trascinamento |
端子-散热片/ terminale to scaldabagno 端子-端子/ terminale a terminale |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Autorizzazione |
端子-散热片/ terminale to scaldabagno 端子-端子/ terminale a terminale |
23.0 11.0 |
mm |
|
Indice di traccia elettrica Tracciamento comparato indice |
CTI |
> 400 |
Articolo |
Il simbolo |
Condizioni |
Un minuto. |
Tipo. |
- Max, ti prego. |
Unità |
杂散电感,模块 Stray Induttanza modulo |
LsCE |
20 |
nH |
|||
resistenza elettrica del filo conduttore modulo,端子- chip Modulo piombo resistenza, terminali - cippa |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
temperatura di stoccaggio
Temperatura di conservazione |
Tstg |
- Quaranta. |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 coppia di montaggio per modulo montaggio |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子联接 torsione Torque di connessione terminale |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Peso
Peso |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
Caratteristica di uscita MOSFET (tipica) Caratteristica di uscita MOSFET (tipica)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Fonte di drenaggio normalizzata sulla resistenza (tipica) Fonte di drenaggio normalizzata sulla resistenza (tipica)
RDSon ((P.U.)=f ((Tvj) RDSon=f ((IDS)
IDS=120A VGS=20V VGS=20V
Fonte di scarico sulla resistenza (tipico) Voltaggio di soglia (tipico)
RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)
IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA
MOSFET
Caratteristica di trasferimento MOSFET (tipica) Caratteristica di trasferimento del diodo (tipica)
IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)
VDS=20V Tvj=25°C
Caratteristica del diodo (tipica) di 3rdQuadrante (tipico)
IDS=f(VDS) IDS=f(VDS
Tvj=150°C Tvj=25°C
caratteristica di 3rdQuadrante (tipico) caratteristica di carica del cancello MOSFET (tipico)
IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)
Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C
MOSFET
Caratteristica di capacità MOSFET (tipico) Perdite di commutazione MOSFET (tipico)
C=f ((VDS) E=f ((IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3,3 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Perdite di commutazione MOSFET (tipica) Impedanza termica transitoria MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Diodo di impedenza termica transitoria
ZthJC=f (t)
Il modulo MOSFET Half Bridge 1200V 120A SiC integra due MOSFET in carburo di silicio in una configurazione a mezzo ponte.fornisce un controllo preciso della tensione (1200V) e della corrente (120A)Un raffreddamento efficace è fondamentale per un funzionamento affidabile, e le specifiche dettagliate possono essere trovate nella scheda dati del produttore.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida