Evidenziare:
Moduli IGBT 300A
, Moduli IGBT da 62 mm
, moduli di 1200V IGBT
Corrente di collettore: |
200A |
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: |
2.5V |
tensione dell'Collettore-emettitore: |
1200 V |
Classificazione attuale: |
200A |
tensione della soglia dell'Portone-emettitore: |
5V |
tensione dell'Portone-emettitore: |
20V |
Capacità introdotta: |
1.5nF |
Tipo del modulo: |
IGBT |
Intervallo di temperatura di funzionamento: |
-40°C a 150°C |
Capacità di uscita: |
0.5nF |
Tipo di pacchetto: |
62 mm |
Capacità inversa di trasferimento: |
0.2nF |
frequenza di commutazione: |
20KHZ |
Valore nominale della tensione: |
1200 V |
Moduli IGBT 1200V 300A 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
L'indice di potenza solida-DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
1200 V 300A IGBT La metà. Ponte Modulo
Generale Descrizione
Il modulo di alimentazione IGBT SOLIDPOWER offre basse perdite di commutazione e elevata capacità RBSOA. Sono progettati per applicazioni come riscaldamento induttivo, saldatura e commutazione ad alta frequenza, ecc..
Caratteristiche:
- Tecnologia di arresto di campo planare 1200V
- Diodi a rotaia libera con recupero inverso veloce e morbido
- Basse perdite di passaggio
- Capacità elevata di RBSOA
Tipico Applicazioni:
- Riscaldamento induttivo
- Saldatura
- Applicazione di commutazione ad alta frequenza
|
IGBT, Invertitore / IGBTInvertitore
Massimo Valori nominali/ massimo limite值
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Valore
|
Unità
|
|
集电极-发射电极 pressione
Collettore-emittentetensione
|
V.CES
|
Tvj= 25°C
|
1200
|
V.
|
|
连续集电极直流电流
Continuo DC collacorrente ctor
|
Io...C
|
TC= 100°C, Tvj= 175°C
TC= 25°C, Tvj= 175°C
|
300
400
|
A
A
|
|
集电极重复峰值电流
Picco ripetidi cui corrente del collettore
|
Io...CRM
|
tp= 1 ms
|
600
|
A
|
|
totale perdita di potenza
Totale potenza dissolvereLa Commissione
|
Pdi
|
TC= 25°C, Tvj= 150°C
|
1500
|
W
|
|
极- lancio 极峰值 tensione elettrica
Portata massimatensione dell'emittente elettrico
|
V.GES
|
|
±20
|
V.
|
|
CarattereValori/ 特征值
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Un minuto. Tipo. - Max, ti prego.
|
Unità
|
|
集电极-发射极?? 和电压
Saturati collettore-emettitorea tensione
|
V.CE(seduto)
|
Io...C= 300A,VGE=15V
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
2.10
|
2.50
2.90
3.00
|
3.00
|
V.
V.
V.
|
|
Pressione elettrica di valore 极
Limita di accessotensione
|
V.GE ((th)
|
Io...C= 12mA, VCE=V.GE, Tvj= 25°C
|
5.0 6.0 7.0
|
V.
|
|
极电荷
Porta carico
|
Q.G
|
V.GE=-15V... +15V
|
1.5
|
μC
|
|
内部 极电阻
Porta interna resistenza
|
RGint
|
Tvj= 25°C
|
2.5
|
Ω
|
|
Capacità di ingresso
Limitazione dell'inputacitance
|
CI.
|
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V
|
12.8
|
nF
|
|
Capacità di trasmissione inversa
Trasferimento inversoCapacità di sfera
|
Cres
|
f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V
|
0.62
|
nF
|
|
集电极-发射极截止电流
Collettore-emittente limite cdi locazione
|
Io...CES
|
V.CE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C
|
5.00
|
mA
|
|
- Sì, sì.-发射极漏电流
Emittente di porta perdite corrente
|
Io...GES
|
V.CE=0V, V.GE=20V, Tvj= 25°C
|
200
|
nA
|
|
开通延延时间( elettricità carico)
Accensione tempo di ritardo, induttivo carico
|
td( su)
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
90
105
110
|
ns
ns
ns
|
|
上升时间( elettricità carico)
E' ora di alzarsi. induttivo carico
|
tr
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
64
66
70
|
ns
ns
ns
|
|
关断延迟时间 (guardare il ritardo del tempo)( elettricità carico)
Sgombero dtempo di elay, induttivo carico
|
td(Smettila.)
|
Io...C= 300A, VCE= 600V
V.GE=±15V
RGon= 2 Ω
RGoff.= 2 Ω
Induttivo Load,
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
285
310
330
|
ns
ns
ns
|
|
Il tempo scende( elettricità carico)
In autunno, induttivo carico
|
tf
|
55
65
65
|
ns
ns
ns
|
|
开通损耗能量(Ogni impulso)
Accensione energia perdita per puLise.
|
Esu
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
21.3
29.5
33.1
|
mJ
mJ
mJ
|
|
关断损耗能量(Ogni impulso)
Energia di spegnimento perdita per polso
|
ESmettila.
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
11.2
15.7
16.5
|
mJ
mJ
mJ
|
|
短路数据
SC dati
|
Io...SC
|
V.GE≤ 15V, VCC= 800V
V.CEmax=VCES- Sì.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C
|
1200
|
A
|
|
结-外 热阻
Termica resistenza,azione a caso
|
RilJC
|
Per IGBT / Ogni volta. IGBT
|
0.10
|
K/W
|
|
temperatura di lavoro
Temperatura eil passaggio Condizioni
|
Tvjop
|
- Quaranta.
|
150
|
°C
|
|
Diodo, inverter/ II. tubo inverso
Massimo Valori nominali/ massimo定值
|
|
Articolo
|
Simbolo Ccondizioni
|
|
Valore
|
Unità
|
|
tensione elettrica di picco inverso e ricorrente
Picco ripetitivo tensione inversae
|
V.RRM Tvj= 25°C
|
|
1200
|
V.
|
|
continua corrente elettrica diretta
Continuo DC percorrente del reparto
|
Io...F
|
|
300
|
A
|
|
Strumenza di picco di ripetizione
Picco corrente in avanti ripetitiva
|
Io...Fondi propri tp= 1 ms
|
|
600
|
A
|
|
CarattereValori/ 特征值
|
|
Articolo
|
Il simboloCondizioni
|
Un minuto.
|
Tipo. - Max, ti prego.
|
Unità
|
|
tensione elettrica in direzione
Voltaggio in avanti
|
V.F Io...F= 300A
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
2.30
2.50
2.50
|
2.70
|
V.
V.
V.
|
|
Corrente elettrica verso il picco di ripristino
Picco inverso recupero cdi locazione
|
Io...RM
Q.r
Eric
|
Io...F= 300A
- DiF/dtSmettila.= 4000A/μs
V.R = 600 V.
V.GE=-15V
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
182
196
199
|
A
A
A
|
|
carico di recupero inverso
Tariffa di recupero
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
23.5
35.5
35.5
|
μC
μC
μC
|
|
Distorsione di carico (per ogni impulso)
Ritorno recupero energia (per pulso)
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
7.3
12.7
14.6
|
mJ
mJ
mJ
|
|
结-外 热阻
Termica resistenza,azione a caso
|
RilJC Per diodo / Ogni个二极管
|
|
0.23
|
K/W
|
|
temperatura di lavoro
Temperatura eil passaggio Condizioni
|
Tvjop
|
- Quaranta.
|
150
|
°C
|
|
Modulo/ 模块
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Valore
|
Unità
|
|
绝缘 test tensione elettrica
Isolamentotensione di prova
|
V.ISOL
|
RMS, f=50Hz, t=1min
|
3.0
|
kV
|
|
模块基板材料
Materiale di modulo piattaforma di base
|
|
|
Cu
|
|
|
内部绝缘
Interno isolamento
|
|
基本绝缘(classe 1, Io...CE 61140)
Di base isolamento (classe 1, IEC 61140)
|
Al2O3
|
|
|
爬电距离
Dispersione- Non lo so.
|
|
端子-散热片/ terminale to scaldabagno
端子-端子/ terminale a terminato
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Autorizzazione
|
|
端子-散热片/ terminale to scaldabagno
端子-端子/ terminale a terminato
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Indice di traccia elettrica
ComparativTracciamento indice
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Articolo
|
Il simbolo
|
Condizioni
|
Un minuto.
|
Tipo.
|
- Max, ti prego.
|
Unità
|
|
杂散电感,模块
Stray Induttanza modulo
|
LSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块引脚电阻, 端子- chip
Modulo Piombo Resistenza ,Termini-Canca
|
RCC??+EE
RAA+CC??
|
|
|
0.7
|
|
mΩ
|
|
temperatura di stoccaggio
Temperatura di stoccaggioperatura
|
Tstg
|
|
- Quaranta.
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭距
Torsione di montaggioche per modulo montaggio
|
M
|
M6
|
3.00
|
|
6.00
|
Nm
|
|
端子联接 torsion distanza
Connessione terminalen coppia
|
M
|
M6
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Peso
Peso
|
G
|
|
|
320
|
|
g
|
IGBT IGBT
Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica) Caratteristica di uscita IGBT, Inverter (tipica)
Io...C=f (V)CE) IC=f(VCE)
V.GE=15V Tvj=150°C
IGBT IGBT
Caratteristica di trasferimento IGBT, inverter (tipico) Perdite di commutazione IGBT, inverter (tipico)
Io...C=f (V)GE) E=f (IC)
V.CE=20VVGE=±15V, RGon=2 Ω, RGoff.=2 Ω, VCE= 600V
IGBT IGBT
Perdite di commutazione IGBT, Inverter (tipico) Impedenza termica transitorio IGBT, Inverter
E=f (R)G) ZilJC=f (t)
V.GE= ± 15V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT, ((RBSOA)
Area di funzionamento di sicurezza per il bias inverso IGBT, Inverter (RBSOA) Caratteristica del diodo, dell'inverter (tipica)
Io...C=f (V)CE) IF=f (V)F)
V.GE=±15V, RGoff.=2 Ω, Tvj= 150°C
Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico) Perdite di commutazione Diodo, inverter (tipico)
Erec=f (I)F) Erec=f (RG)
RGon=2 Ω, VCE= 600V IF= 300A, VCE= 600V
FRD
FRD di impedenza termica transitoria, inverter
ZilJC=f (t)
Il modulo half bridge IGBT 1200V 300A integra due IGBT in una configurazione half bridge per applicazioni ad alta potenza, offrendo un controllo preciso della tensione (1200V) e della corrente (300A).Un raffreddamento efficace è fondamentale, e le specifiche dettagliate sono riportate nella scheda tecnica del fabbricante.
Circuito Diagramma Titolo
Pacco linee guida
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